[發明專利]清洗多孔體和制造多孔體,非多孔膜或鍵合襯底的方法

無效

• 申請號: 00108662.6
• 申請日: 2000-03-24
• 公開（公告）號: CN1271175A
• 公開（公告）日: 2000-10-25
• 發明（設計）人: 山方憲二;松村聡
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08;B08B3/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.清洗陽極氧化形成的多孔體的方法，包括，利用包含醇和乙酸的至少一種的清洗溶液，在完成陽極氧化后清洗多孔體的步驟。

2.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中在該清洗步驟后再用純水清洗多孔體。

3.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗溶液是包含醇的水溶液。

4.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗溶液包含醇。

5.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗步驟包括利用包含醇的清洗溶液進行清洗的步驟和利用由醇的水溶液構成的清洗溶液進行清洗的步驟。

6.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗步驟包括將多孔體暴露到清洗溶液蒸汽中的步驟。

7.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗步驟包括把多孔體浸入到清洗溶液中的步驟。

8.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中在該清洗步驟后利用具有超聲能量的純水清洗多孔體。

9.按照權利要求8所述的清洗多孔體的方法，其中多孔體具有孔隙率小于70％的區域。

10.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中在該清洗步驟后，利用純水清洗多孔體，以后旋轉干燥這樣清洗的多孔體和通過通風進一步干燥多孔體。

11.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中清洗步驟包括將多孔體暴露到清洗溶液的蒸汽中，將這樣清洗的多孔體從蒸汽內部相對地移到蒸汽外部進行干燥處理。

12.按照權利要求11所述的清洗多孔體的方法，其中多孔體具有孔隙率為70％以上的區域。

13.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中多孔體形成在非多孔體基座部件的表面上。

14.按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法，其中多孔體包括半導體。

15.制造非多孔膜的方法，包括在按照權利要求1所述的清洗多孔體的方法已經清洗的多孔體上形成非多孔層的步驟。

16.按照權利要求15所述的制造非多孔膜的方法，還包括除掉多孔體的步驟。

17.制造非多孔膜的方法，包括下列步驟，通過陽極氧化形成多孔層，在多孔層上形成非多孔層，將非多孔層鍵合到支撐底座上，除掉多孔層，其中該工藝還包括，在陽極氧化后利用包含醇和乙酸的至少一種的清洗溶液清洗多孔體的步驟。

18.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中在該清洗步驟以后，還利用純水清洗多孔層。

19.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中清洗溶液是包含醇的水溶液。

20.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中清洗溶液包含醇。

21.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中清洗步驟包括利用包含醇的清洗溶液清洗的步驟，和利用由含醇水溶液構成的清洗溶液進行清洗的步驟。

22.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中清洗步驟包括將多孔層暴露到清洗溶液的蒸汽中的步驟。

23.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中清洗步驟包括把多孔層浸入到清洗溶液中的步驟。

24.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中在該清洗步驟后利用具有超聲能量的純水清洗多孔層。

25.按照權利要求24所述的制造非多孔膜的方法，其中多孔層具有孔隙率小于70％的區域。

26.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中在該清洗步驟后，利用純水清洗多孔層，此后旋轉干燥這樣清洗的多孔層。

27.按照權利要求17所述的制造多孔膜的方法，還包括氧化多孔層在多孔層的孔壁表面上形成氧化膜的步驟。

28.按照權利要求17所述的制造非多孔膜的方法，其中多孔層包括半導體。