[發(fā)明專(zhuān)利]金屬鑲嵌布線(xiàn)形貌的修正

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00108534.4
• 申請(qǐng)日: 2000-05-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1274171A
• 公開(kāi)（公告）日: 2000-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·G·邦巴蒂爾;E·J·懷特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/302
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/302;H01L21/314;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永,王忠忠

1.一種平面化具有不規(guī)則形貌的表面的方法，包括

用拋光終止層覆蓋所述表面；

在所述拋光終止層上淀積填充層，所述填充層的厚度大于所述不規(guī)則形貌的深度；以及

選擇性?huà)伖馑鎏畛鋵又钡剿鼋K止層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述表面包括用層間介質(zhì)覆蓋的鑲嵌布線(xiàn)層，所述拋光終止層和所述填充層設(shè)置在所述布線(xiàn)層和所述層間介質(zhì)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述填充層填充在所述不規(guī)則的形貌中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述拋光終止層包括所述不規(guī)則的形貌，所述拋光之后，所述填充層僅留在所述形貌的不規(guī)則處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述拋光之前，所述填充層的厚度大于所述拋光終止層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述拋光包括選擇性的化學(xué)機(jī)械拋光。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述不規(guī)則的形貌包括由所述表面的化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的至少一個(gè)劃痕或凹坑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述終止層包括氮化硅，所述填充層包括氧化物。

9.一種集成電路芯片的制造方法，包括：

形成布線(xiàn)層；

平面化所述布線(xiàn)層；

在所述布線(xiàn)層上形成層間介質(zhì)；以及

重復(fù)所述布線(xiàn)層的所述形成，所述布線(xiàn)層的所述平面化，以及所述層間介質(zhì)的所述形成，

其中所述平面化包括所述布線(xiàn)層的第一次拋光，所述第一次拋光在所述布線(xiàn)層中形成不規(guī)則的形貌，

所述平面化還包括：

用拋光終止層覆蓋所述布線(xiàn)層；

在所述拋光終止層上淀積填充層，所述填充層的厚度大于所述不規(guī)則的形貌的深度；以及

選擇性?huà)伖馑鎏畛鋵又钡剿鼋K止層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述拋光終止層和所述填充層設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)布線(xiàn)層和層間介質(zhì)之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述填充層填充在所述不規(guī)則的形貌中。

12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述拋光終止層包括所述不規(guī)則的形貌，所述拋光之后所述填充層僅留在所述不規(guī)則的形貌中。

13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述拋光之前所述填充層的厚度大于所述拋光終止層。

14.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述拋光包括選擇性的化學(xué)機(jī)械拋光。

15.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述不規(guī)則的形貌包括至少一個(gè)劃痕或凹坑。

16.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述終止層包括氮化硅，所述填充層包括氧化物。

17.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述布線(xiàn)層包括鑲嵌布線(xiàn)層。

18.一種集成電路芯片，包括：

至少一個(gè)具有不規(guī)則形貌的布線(xiàn)層；

位于所述布線(xiàn)層上的拋光終止層，所述拋光終止層包括所述不規(guī)則形貌

所述不規(guī)則形貌中的填充層；以及

所述拋光終止層和所述填充層上的層間介質(zhì)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的集成電路芯片，其中所述填充層基本上消除了所述不規(guī)則的形貌。

20.根據(jù)權(quán)利要求18的集成電路芯片，其中所述不規(guī)則的形貌包括由所述布線(xiàn)層的化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的至少一個(gè)劃痕或凹坑。

21.根據(jù)權(quán)利要求18的集成電路芯片，其中所述終止層包括氮化硅，所述填充層包括氧化物。