[發(fā)明專利]具有凸塊電極的聲表面波器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00108181.0 | 申請日： | 2000-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN1271999A | 公開（公告）日： | 2000-11-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田賀重人 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03H9/145 | 分類號： | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 電極 表面波 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子元件，其特征在于包含
基片、
所述基片上的電極片、
所述電極片上的基底電極、
所述基底電極上的中間電極，和
所述中間電極上的凸塊電極；
其中，所述基底電極包含減小所述中間電極的取向性的金屬材料。
2.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述凸塊電極由融點為大約450攝氏度或更高的金屬制成。
3.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述中間電極由鋁和含鋁的合金中的至少一種材料制成。
4.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述基底電極具有一種金屬材料，所述金屬材料將從所述中間電極中的鋁的(111)平面的X射線衍射峰的鎖定曲線的半寬度增加到大于大約15度。
5.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述中間電極具有大約1微米的厚度。
6.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述基底電極具有大約10納米的厚度。
7.如權利要求1所述的電子元件，其特征在于所述基底已經由NiCr制成
8.一種聲表面波元件，其特征在于包含：
壓電基片；
所述壓電基片上的電極片；
包含設置在其底表面上的基底電極的中間電極，所述中間電極的底表面設置在所述電極片上；
所述中間電極上的凸塊電極，所述凸塊電極由融點大約450攝氏度或更高的金屬材料制成；
其中，所述基底電極包含減小中間電極的取向性的金屬材料。
9.如權利要求8所述的聲表面波元件，其特征在于每一個中間電極具有多個層，并且在所述中間電極的每一層之間包含所述基底電極，所述基底電極具有減小所述中間電極的取向性的所述金屬材料。
10.如權利要求8所述的聲表面波元件，其特征在于中間電極由鋁和含鋁合金中的至少一種材料制成。
11.如權利要求10所述的聲表面波元件，其特征在于基底電極包含一種金屬材料，所述金屬材料將從所述中間電極中的鋁的(111)平面的X射線衍射峰的鎖定曲線的半寬度增加到大于大約15度。
12.如權利要求8所述的聲表面波元件，其特征在于基底電極包含NiCr。
13.如權利要求8所述的聲表面波元件，其特征在于電極片包含鋁或者含鋁合金。
14.如權利要求8所述的聲表面波元件，其特征在于還包含具有封裝電極的封殼，所述凸塊電極結合到所述封裝電極。
15.如權利要求14所述的聲表面波元件，其特征在于還包含設置得密封所述封裝的罩子。
16.一種電子元件的制造方法，其特征在于包含以下步驟：
設置壓電基片；
在所述壓電基片上形成電極片；
在所述電極片上設置中間電極，所述中間電極包含位于所述電極片和所述中間電極之間的基底電極；
在所述中間電極上形成凸塊電極；
將所述電子元件設置在封殼上，使所述凸塊電極與所述封裝電極相對；和
在施加超聲波或加熱同時，將所述封裝電極壓焊到所述凸塊電極；其中
所述基底電極包含減小中間電極的取向性的金屬材料。
17.如權利要求16所述的方法，其特征在于還包含用罩子密封封殼。
18.如權利要求16所述的方法，其特征在于還包含設置中間電極，所述中間電極具有多個層，并在所述中間電極的所述層之間設置所述基底電極。
19.如權利要求16所述的方法，其特征在于所述凸塊電極由融點大約450攝氏度或更高的金屬制成。
20.如權利要求16所述的方法，其特征在于所述中間電極由鋁和含鋁合金中的至少一種材料制成。
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