[發明專利]A1GalnP系的發光二極管和用于制作該二極管的外延片

無效

• 申請號: 00108101.2
• 申請日: 2000-04-27
• 公開（公告）號: CN1271965A
• 公開（公告）日: 2000-11-01
• 發明（設計）人: 柴田憲治;柴田真佐知;今野泰一郎;金田直樹;野口雅弘
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永,陳景峻

1.一種AlGaInP系的LED，它包括：

一種導電性襯底，

一層n型夾層，它是由AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層有源層，它是由帶隙能量低于所述n型夾層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層P型夾層，它是由帶隙能量高于所述有源層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層P型窗口層，它是由GaP形成的，

兩個電極，它們是在所述窗口層和所述襯底的預定部分形成的，以及

一層插入層，它被插在所述P型夾層和所述P型窗口層之間，而且其帶隙能量低于所述P型夾層的帶隙能量。

2.根據權利要求1所述的AlGaInP系的LED，其特征在于：所述插入層的帶隙能量高于有源層的帶隙能量。

3.根據權利要求1所述的AlGaInP系的LED，其特征在于：所述插入層的導電類型是P型。

4.根據權利要求3的AlGaInP系的LED，其特征在于：所述P型插入層的載流子濃度為5×10¹⁷cm^-3-5×10¹⁸cm^-3。

5.根據權利要求1所述的AlGaInP系的LED，其特征在于：所述插入層和所述P型夾層是晶格匹配的。

6.根據權利要求1所述的AlGaInP系的LED，其特征在于：所述插入層是由AlGaInP，GaInP，AlInP，GaAs，AlGaAs，GaAsP或InGaAsP形成的，它的組成應使它的帶隙能量低于所述P型夾層的帶隙能量。

7.一種AlGaInP系的LED，它包括：

一種導電性襯底，

一層n型夾層，它是由AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層有源層，它是由帶隙能量低于所述n形夾層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層P型夾層，它是由帶隙能量高于所述有源層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層窗口層，它是由Ga_xIn_1-xP(0＜X≤1)，Al_yIn_1-yP(0＜y≤1)或Al_zGa_1-zP(0＜Z≤1)形成的，

兩個電極，它們是在所述窗口層和所述襯底的預定部分形成的，

一層插入層，它被插在所述P型夾層和所述窗口層之間，而且帶隙能量低于所述P型夾層的帶隙能量。

8.一種用于AlGaInP系的LED的外延片，它包括：

一種導電性襯底，

一層n型夾層，它是由AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層有源層，它是由帶隙能量低于所述n型夾層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層P型夾層，它是由帶隙能量高于所述有源層帶隙能量的AlGaInP系化合物半導體形成的，

一層P型窗口層，它是由GaP形成的，

一層插入層，它被插在所述P型夾層和所述P型窗口層之間，其帶隙能量低于所述P型夾層的帶隙能量。

9.根據權利要求8所述的用于AlGaInP系的LED的外延片，其特征在于：所述插入層的帶隙能量高于所述有源層的帶隙能量。

10.根據權利要求8所述的用于AlGaInP系的LED的外延片，其特征在于：所述插入層的導電類型是P型的。

11.根據權利要求10所述的用于AlGaInP系的LED的外延片，其特征在于：所述插入層中的載流子濃度為5×10¹⁷cm^-3-5×10¹⁸cm^-3。

12.根據權利要求8所述的用于AlGaInP系的LED的外延片，其特征在于：所述插入層與所述P型夾層是晶格匹配的。

13.根據權利要求8所述的用于AlGaInP系的LED的外延片，其特征在于：所述插入層是由化合物半導體AlGaInP，GaInP，AlInP，GaAs，GaAsP或InGaAs形成的，其組成使其帶隙能量低于所述P型夾層的帶隙能量。