[發明專利]半導體器件的制造方法和回旋管

無效

• 申請號: 00106846.6
• 申請日: 2000-04-19
• 公開（公告）號: CN1271193A
• 公開（公告）日: 2000-10-25
• 發明（設計）人: 沼居貴陽
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01L33/00;G01C19/64
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上制備具有至少一個半導體層的部件；

在所述半導體層上形成電極層；

在所述電極層上形成刻蝕掩模；

通過刻蝕所述電極層和所述半導體層形成臺面輪廓。

2.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中所述刻蝕掩模在所述電極層上形成保護薄膜后形成。

3.權利要求2的制造半導體器件的方法，其中所述保護薄膜從由絕緣薄膜和介質薄膜組成的組中選出。

4.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中在形成所述臺面輪廓后在所述襯底的底面下形成電極層。

5.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中所述半導體為多層結構。

6.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中所述半導體層包括下包層，有源層和上包層。

7.權利要求1的制造半導體器件的方法，還包括在形成所述臺面后除去所述刻蝕掩模的步驟。

8.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中刻蝕掉所述電極層和所述半導體層后暴露所述刻蝕掩模下的保護薄膜。

9.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中所述刻蝕掩模由光刻膠制成。

10.由權利要求1至9中任一方法制備的半導體器件。

11.由權利要求1至9中任一方法制備的半導體器件，其中組成所述臺面的所述半導體層和所述電極層具有相同的寬度。

12.由權利要求1中制造半導體器件的方法制備的包含環形諧振腔型半導體激光器的回旋管。

13.權利要求12的回旋管，其中所述激光器具有環形有源層。

14.權利要求12的回旋管，其中所述激光器在其波導內具有不對稱的錐形部分。

15.光回旋管，包括：用權利要求12的方法制備的包含環形諧振腔類型的半導體激光器以及以從電流改變，電壓改變和阻抗改變組成的組中選擇的形式檢測所述半導體激光器產生的差頻信號的裝置。

16.半導體光器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上形成至少一個半導體層的第一薄膜形成步驟；

在所述半導體層上形成第一電極材料膜的第二薄膜形成步驟；

在所述第一電極材料上形成保護薄膜的第三薄膜形成步驟；

選擇性形成刻蝕掩模的步驟；

選擇性刻蝕所述保護薄膜的第一刻蝕步驟；

選擇性刻蝕所述第一電極材料的第二刻蝕步驟；

將所述半導體層刻蝕至預定深度的第三刻蝕步驟；

除去所述刻蝕掩模和所述保護薄膜的步驟；以及

在所述襯底上形成第二電極的步驟。

17.權利要求16的制造半導體器件的方法，其中完全除去所述刻蝕掩模，以便在從由所述第二和第三刻蝕步驟組成的組合中選擇的某一步驟來暴露所述保護薄膜，并且隨后的第三刻蝕步驟將所述保護薄膜除去。

18.權利要求1的制造半導體器件的方法，其中所述部件是具有至少一個半導體層的晶片。