[發明專利]絕緣體基外延硅工藝中雙重深度氧化層的結構和方法

有效

• 申請號: 00106468.1
• 申請日: 2000-04-11
• 公開（公告）號: CN1272689A
• 公開（公告）日: 2000-11-08
• 發明（設計）人: J·S·布朗;A·布賴恩特;小R·J·戈捷;R·W·曼恩;S·H·沃德曼
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/70;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永,王忠忠

1.一種半導體結構，包括：

一襯底，包括第一表面；

在襯底內在第一深度和第二深度的連續的掩埋氧化物層，其中第一深度和第二深度不相等；

在第一表面和第一深度的掩埋氧化物層之間的第一溝槽；

在第一表面和第二深度的掩埋氧化物層之間的第二溝槽。

2.權利要求1的半導體結構，其中第一溝槽包括至少兩段。

3.權利要求1的半導體結構，且其中第一溝槽不接觸掩埋氧化物層，其中第二溝槽不接觸掩埋氧化物層。

4.權利要求1的半導體結構，其中第一溝槽接觸掩埋氧化物層，其中第一溝槽使襯底內的第一區域和第二區域電氣絕緣，其中第二溝槽不接觸掩埋氧化物層。

5.權利要求4的半導體結構，其中第一區包括第一半導體器件，且其中第二區包括第二半導體器件。

6.權利要求1的半導體結構，其中第一溝槽接觸掩埋氧化物層，其中第二溝槽接觸掩埋氧化物層，其中第一溝槽使襯底內的第一區域和第二區域電氣絕緣，其中第二溝槽使襯底內的第二區域和第三區域電氣絕緣。

7.權利要求6的半導體結構，其中第一區包括第一半導體器件，其中第二區包括第二半導體器件，其中第三區包括第三半導體器件。

8.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是完全耗盡FET。

9.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是部分耗盡FET。

10.權利要求7的半導體結構，其中第一半導體器件是完全耗盡FET。其中第二半導體器件是部分耗盡FET。

11.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是FET。

12.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是垂直二極管。

13.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是電阻結構。

14.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是解耦電容器。

15.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是雙極型晶體管。

16.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是厚氧化物器件。

17.權利要求7的半導體結構，其中第二半導體器件是多晶硅限界的二極管結構。

18.一種半導體結構，包括：

一襯底，包括第一表面；

在襯底內在第一深度和第二深度的連續的掩埋氧化物層；

單臺階淺溝槽絕緣區，與在第一深度的掩埋氧化物層接觸，使第一深度和第一表面之間的器件絕緣；

雙臺階淺溝槽絕緣區，選擇性的與在第二深度的掩埋氧化物層接觸，使第二深度和第一表面之間的一組器件絕緣，其中這組器件至少包括一個器件。

19.一種半導體結構，包括：

一襯底，包括第一表面；

在襯底內一連續的深度可變的掩埋氧化物層；

在第一表面和掩埋氧化物層之間的第一溝槽；

在襯底內的外部溝槽，其中襯底內的第一區域用外部溝槽、第一溝槽和掩埋氧化物層電氣絕緣，其中外部溝槽是相對于第一區域而言的和結合第一區域的一邊，其中外部溝槽接觸掩埋氧化物層的端面，其中襯底內第一區域和第二區域電氣絕緣。

20.權利要求19的半導體結構，其中外部溝槽包括至少兩段。

21.權利要求19的半導體結構，其中第一區域包括第一半導體器件，其中第二區域包括一體材料半導體器件。

22.權利要求21的半導體結構，其中所述體材料半導體器件是FET。

23.一種制作半導體結構的方法，包括以下步驟：

提供包括第一表面的一襯底；

在襯底內制作在第一深度和第二深度的一連續的掩埋氧化物層，其中第一深度和第二深度不相等；

制作第一溝槽和第二溝槽，其中第一溝槽在第一表面和第一深度的掩埋氧化物層之間，其中第二溝槽在第一表面和第二深度的掩埋氧化物層之間。

24.權利要求23的方法，其中第一溝槽包括至少兩段。