[發明專利]形成半導體器件的工藝過程

無效

• 申請號: 00104671.3
• 申請日: 2000-03-24
• 公開（公告）號: CN1268770A
• 公開（公告）日: 2000-10-04
• 發明（設計）人: 張海雷;李勇杰·湯姆;菲烏米·恩古延;穆薩米·布特;吳偉·艾德溫
• 申請（專利權）人: 摩托羅拉公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1.一種用于形成半導體器件的工藝過程，其特征在于：

在襯底(30)內或在襯底(30)上形成大體上垂直的邊緣；

在襯底(30)上并沿大體上垂直的邊緣形成第一層(39)；

蝕刻第一層(39)以形成隔離層(42)，其中在下列的至少二個參數情況下進行蝕刻：

在蝕刻化學物內的每種含氟蝕刻物質具有每其他的原子至少五個氟原子的比率；

在壓力低于大約500毫乇時進行蝕刻；和

在功率密底低于大約0.75瓦特/厘米²時進行蝕刻。

2.一種用于形成半導體器件的工藝過程，其特征在于：

在襯底(30)上形成第一疊層(33)和第二疊層(35)，其中：

第一和第二疊層(33和35)具有相對的側面；和

第一薄層(36)至少是第一疊層(33)的部分而不是第二疊層(35)的部分；

在第一和第二疊層(33和35)上形成第二層(39)；和

蝕刻第二層(39)以致沿第一和第二疊層的相對的側面形成隔離層(42)，其中在下列至少一個參數的情況下進行蝕刻：

在蝕刻化學物內的每種含氟蝕刻物質具有每其他的原子至少五個氟原子的比率：

在壓力低于大約500毫乇時進行蝕刻；和

在功率密底低于大約0.75瓦特/厘米²時進行蝕刻。

3.根據權利要求2的工藝過程，其中：

第一疊層(33)具有第一高度；

第二疊層(35)具有第二高度；和

第一高度基本高于第二高度。

4.根據權利要求3的工藝過程，其中：

半導體器件包括存儲器陣列和在存儲器陣列外面的周邊區域；

在存儲器陣列內第一疊層(33)是第一柵極疊層；和

在周邊區域內第二疊層(35)是第二柵極疊層。

5.根據權利要求2的工藝過程，其中：

形成第一和第二疊層(33和35)時也形成具有相對的側面的第三疊層(31)；

第一、第二和第三疊層(31、33和35)中的每個疊層包括導電層(34)；

形成第二層(39)時也在第三疊層上形成第二層(39)；

蝕刻第二層(39)時也沿相對的側面形成隔離層(42)；

襯底(30)包括在襯底(30)內和部分在隔離層下面在第一和第三疊層(31和33)之間的導電區(62)；和

形成連接導電區(62)和在第一和第三疊層(31和33)之間的隔離層(42)的導電結構(73)，其中導電結構(73)不與在第一和第三疊層(31和33)內的任何一層導電層(34)電連接。

6.根據權利要求2的工藝過程，其中：

第一疊層(33)具有第一高度；

隔離層(42)包括第一側壁隔離層；

第一側壁隔離層具有在第一疊層的底部附近測量的第一寬度；

第一側壁隔離層具有在大約第一高度的一半的位置上的第二寬度；和

第二寬度至少為第一寬度的十分之九。

7.根據權利要求1-6中的任一權利要求所確定的工藝過程，其中采用所有的所述參數來進行蝕刻。

8.根據權利要墳1-6中任一權利要求所確定的工藝過程，其中：

SF₆是在蝕刻化學物內僅有的含氟物質；

壓力是在大約40-200毫乇的范圍內；和

功率密度是在大約0.15-0.75瓦特/厘米²范圍內。

9.根據權利要求1-6中的任一權利要求所確定的工藝過程，其中：

蝕刻化學物包括另一種分子物質；

另一種分子物質不包含任何氟原子；

另一種分子物質是在蝕刻化學物中的大約11-20體積百分比的范圍內。

10.一種形成半導體器件的工藝過程，其特征在于：

在襯底(30)上形成第一柵極疊層(33)和第二柵極疊層(35)，其中：

第一和第二柵極疊層(33和35)具有相對的側面；

至少第一層(36)是第一柵極疊層(33)的部分而不是第二柵極疊層的部分；

第一柵極疊層(33)具有第一高度；

第二柵極疊層(35)具有第二高度；和

第一高度基本大于第二高度；

在第一和第二柵極疊層(33和35)上形成氮化物層(39)；和

蝕刻氮化物層(39)以沿第一和第二柵極疊層(33和35)的相對的側面形成隔離層(42)，其中進行蝕刻：

采用一種蝕刻化學物，其中：

SF₆是蝕刻化學物內僅有的含氟物質；

從包括HBr、HCl、BBr₃、BCl₃、Br₂、Cl₂、O₂、和N₂的一類物質中挑選另一種分子物質；和

另一種分子物質是在蝕刻化學物中的大約11-20體積百分比的范圍內；

在壓力在大約40-200毫乇的范圍內進行蝕刻；和

以功率密度低于大約0.2-0.4瓦特/厘米²進行蝕刻。