[發明專利]熱堆式紅外線傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 00104670.5
• 申請日: 2000-03-24
• 公開（公告）號: CN1274078A
• 公開（公告）日: 2000-11-22
• 發明（設計）人: 遠藤治之;布施武士;松館直史;田中靖崇;岡田俊一
• 申請（專利權）人: 石塚電子株式會社
• 主分類號: G01J1/02
• 分類號: G01J1/02;G01J5/12;H01L31/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1、一種在具有空洞部分的單晶硅襯底上形成有熱電元件的熱堆式紅外線傳感器，

其特征是：在覆蓋上述空洞部分的第1絕緣膜上邊，配置有從芯片中心附近開始放射狀地延伸的多個n型多晶硅層，借助于上述n型多晶硅層和金屬薄膜層的接觸，在芯片中心一側形成有熱接點部分，在其周圍一側形成有冷接點部分，上述金屬薄膜層交互地連接相鄰的上述n型多晶硅層之間的熱接點部分和冷接點部分，在上述第1絕緣膜上邊至少形成有一個串聯連接的熱電元件列。

2、一種在具有空洞部分的單晶硅襯底上形成有熱電元件的熱堆式紅外線傳感器，

其特征是：在覆蓋上述空洞部分的第1絕緣膜上邊，配置有從芯片中心附近開始放射狀地延伸的多個n型多晶硅層，借助于上述n型多晶硅層和金屬薄膜層的接觸，在芯片中心一側形成熱接點部分，在其周圍一側形成有冷接點部分，上述金屬薄膜層交互地連接相鄰的上述n型多晶硅層彼此間的熱接點部分和冷接點部分，在上述第1絕緣膜上邊至少形成有一個串聯連接的熱電元件列，而且，在上述熱電元件列上邊，中間存在著絕緣膜地形成紅外線吸收膜。

3、一種在具有空洞部分的單晶硅襯底上形成有熱電元件的熱堆式紅外線傳感器，

其特征是：在覆蓋上述空洞部分的第1絕緣膜上邊，使之互相嚙合地配置有從芯片中心附近的圓周上邊和其外側的多個同心圓上邊的位置開始，向芯片周緣方向放射狀地延伸的多個n型多晶硅層，在覆蓋上述n多晶硅層和上述第1絕緣膜的第2絕緣膜上設置有開口部分，通過上述開口部分借助于上述n型多晶硅層和金屬薄膜層之間的接觸，在芯片中心一側和其周圍一側分別形成有熱接點部分和冷接點部分，用上述金屬薄膜層交互地連接相鄰的上述n型多晶硅層彼此間的熱接點部分和冷接點部分，在上述第1絕緣膜上邊至少形成有一個串聯連接的熱電元件列，而且，在上述熱電元件列上邊，中間存在著絕緣膜地形成紅外線吸收膜。

4、一種在具有空洞部分的單晶硅襯底上形成有熱電元件的熱堆式紅外線傳感器，

其特征是：設置下述部分：

覆蓋在上述單晶硅襯底上設置的空洞部分的第1絕緣膜；

在上述第1絕緣膜上邊，使之互相嚙合地配置從芯片中心附近的圓周上邊和其外側的多個同心圓上邊的位置開始，向芯片周緣方向放射狀地延伸的多個n型多晶硅層；

在上述n型多晶硅層和上述第1絕緣膜上邊形成的第2絕緣膜；

為了在上述多個n型多晶硅層的芯片中心側和周緣一側分別形成熱接點部分和冷接點部分，在上述第2絕緣膜上形成的開口部分；

用來通過上述開口部分與上述n型多晶硅層接觸并形成上述熱接點部分和冷接點部分的金屬薄膜層；

用上述金屬薄膜層交互地連接上述熱接點部分和冷接點部分而形成的熱電元件列；

在上述第2絕緣膜上邊和上述金屬薄膜層上邊形成的第3絕緣膜；

在上述第3絕緣膜上邊形成為把上述熱接點部分覆蓋起來的紅外線吸收膜；

在上述串聯連接的熱電元件列的終端部分上形成的電極焊盤部分。

5、一種在具有空洞部分的單晶硅襯底上形成有熱電元件的熱堆式紅外線傳感器，

其特征是：在覆蓋上述空洞部分的第1絕緣膜上邊，使之互相嚙合地配置有從芯片中心附近的圓周上邊和其外側的多個同心圓上邊的位置開始，向芯片周緣方向放射狀地延伸的多個n型多晶硅層，借助于上述n型多晶硅層和金屬薄膜層之間的接觸，在芯片中心一側和其周圍一側分別形成有熱接點部分和冷接點部分，使從上述熱接點部分導出的上述金屬薄膜層在上述第1絕緣膜上邊攀沿并連接到相鄰的n型多晶硅層的上述冷接點部分上，在上述第1絕緣膜上邊形成串聯連接的熱電元件列，而且，在覆蓋上述熱電元件列的第2絕緣膜上邊，形成紅外線吸收膜。