[發(fā)明專利]復(fù)合蒸發(fā)淀積膜的生產(chǎn)方法與復(fù)合蒸發(fā)淀積材料及其生產(chǎn)方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00104655.1 | 申請(qǐng)日: | 2000-03-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1268581A | 公開(公告)日: | 2000-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古市真治;高嶼重利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立金屬株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/14 | 分類號(hào): | C23C14/14;C23C14/54;H01J9/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 蒸發(fā) 淀積膜 生產(chǎn) 方法 材料 及其 | ||
本發(fā)明涉及采用連續(xù)真空蒸發(fā)淀積法在蒸發(fā)開始與最后階段生成的具有不同薄膜組成的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜的生產(chǎn)方法,以及適于在真空蒸發(fā)淀積中使用的復(fù)合蒸發(fā)淀積材料。更具體地,本發(fā)明涉及一種如在像彩色電視顯像管之類的陰極-射線管熒光表面上提供的光反射薄膜與光吸收薄膜中見到的其組成有很大差別的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜的生產(chǎn)方法,以及適于在真空蒸發(fā)淀積中使用的復(fù)合蒸發(fā)淀積材料。
目前需要采用連續(xù)真空蒸發(fā)淀積法制造多種具有不同性質(zhì)的層合蒸發(fā)淀積薄膜。在如彩色電視顯像管之類的陰極-射線管中,例如將三種顏色熒光粉在熒光屏內(nèi)表面上涂成點(diǎn)狀或條狀花樣,在熒光涂層上,即在與熒光屏相反的表面上形成如鋁之類具有高光反射率的薄膜層,因此在熒光粉發(fā)射出的可見光中到達(dá)CRT內(nèi)的光被鋁薄膜層反射,從而增加到達(dá)熒光屏前表面的光量。在淀積的涂熒光粉的熒光屏表面的后面是陰罩或蔭罩,它起著選色電極的作用,保持電子槍的每個(gè)電子束在熒光屏上僅能撞擊所需要彩色熒光點(diǎn)的位置。這些電極允許約20%電子束通過陰罩到達(dá)涂熒光粉的表面一側(cè),同時(shí)余下80%被屏蔽了。被屏蔽的80%電子束使選色電極的溫度升高。溫度升高導(dǎo)致選色電極熱輻射,這種熱輻射集中在最近的涂熒光粉的表面,而大部分熱被在涂熒光粉的熒光屏上的背面敷鋁反射。因?yàn)楸环瓷涞臒嵊诌_(dá)到選色電極,所以又促使電極溫度升高。隨著溫度升高,選色電極可能因熱膨脹而變形,因此導(dǎo)致電子束偏離中心線。
以前為應(yīng)付這種情況而做的努力包括如US?3?703?401中公開的,在熒光粉表面的鋁薄膜層表面上涂碳涂層,因此選色電極的輻射熱可能由于碳涂層的吸熱作用而被吸收。但是,碳涂層必須在將其溶于如有機(jī)溶劑之類的溶劑之后再噴灑。此外,這種噴灑涂層與將鋁真空蒸發(fā)淀積在熒光粉表面上的過程分開進(jìn)行。這樣使得這種方法很復(fù)雜,也很棘手,并且無法進(jìn)行連續(xù)操作。
當(dāng)碳或鉻(這兩者都具有吸收輻射熱的性質(zhì))與具有高光反射率的鋁一起進(jìn)行真空蒸發(fā)淀積時(shí),可以預(yù)料由于鋁與碳或鉻之間的蒸汽壓差,在蒸發(fā)淀積的開始階段生成具有富鋁組成的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜,而在最后階段生成富碳或鉻的組成。然而,在開始階段生成的富鋁組成由于其高碳或鉻含量而具有很低的光反射率。另一方面,在最后階段生成的富碳或鉻組成含有大量的鋁,因此導(dǎo)致輻射熱吸收能力不高。
為應(yīng)付這種情況,首先通過將作為開始蒸發(fā)淀積材料的鋁片放在蒸發(fā)盤上生成蒸發(fā)淀積薄膜,然后通過放置如碳或鉻之類的蒸發(fā)淀積材料,即與在蒸發(fā)盤上的開始蒸發(fā)淀積材料不同的材料,繼續(xù)蒸發(fā),可以得到具有雙層結(jié)構(gòu)的由完全不同成分組成的蒸發(fā)淀積薄膜。但是這涉及兩種分開的蒸發(fā)淀積過程。
因此,本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種在連續(xù)真空蒸發(fā)淀積過程中在蒸發(fā)淀積開始階段與最后階段生成的具有不同薄膜組成的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜的制造方法。
本發(fā)明另一目的是提供復(fù)合蒸發(fā)淀積材料,該材料適于制造在蒸發(fā)淀積開始階段與最后階段生成的具有不同薄膜組成的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜。
本發(fā)明另一目的是提供含有難以拉伸的金屬、合金、它們的氧化物或它們的混合物的伸長復(fù)合蒸發(fā)淀積材料。
本發(fā)明另一目的是提供可以很容易自動(dòng)送到真空蒸發(fā)淀積裝置中的復(fù)合蒸發(fā)淀積材料。
本發(fā)明另一目的是提供一種制造復(fù)合蒸發(fā)淀積材料的方法。
因此,根據(jù)本發(fā)明,在蒸發(fā)淀積開始階段與最后階段生成的具有不同薄膜成分的復(fù)合蒸發(fā)淀積薄膜制造方法,涉及在減壓下加熱具有高蒸汽壓金屬體和被保持在該金屬體核心區(qū)域內(nèi)的低蒸汽壓金屬的復(fù)合蒸發(fā)淀積材料,然后蒸發(fā)高蒸汽壓金屬和低蒸汽壓金屬,使其淀積在被淀積的基體上。
在本說明書中,當(dāng)不同的金屬在同樣的真空度下加熱時(shí),高蒸汽壓金屬定義為在較低溫度下蒸發(fā)的金屬,低蒸汽壓金屬定義為被加熱到較高溫度才會(huì)蒸發(fā)的金屬。
低蒸汽壓金屬可以是被高蒸汽壓金屬粉末保持與分散在復(fù)合蒸發(fā)淀積材料高蒸汽壓金屬體核心區(qū)域中的粉末。高蒸汽壓金屬體優(yōu)選地應(yīng)該與高蒸汽壓金屬粉末所使用的金屬相同,更優(yōu)選地是鋁或它的合金。高蒸汽壓金屬的延展性優(yōu)選地應(yīng)該高于低蒸汽壓金屬。低蒸汽壓金屬粉末可以是至少任何一種選自碳、硅、鉻、鎳、鐵、鈷、鈦、錸、鎢與釩的元素。
低蒸汽壓金屬可以是在復(fù)合蒸發(fā)淀積材料中被具有較高蒸汽壓和較高延展性的金屬外殼包裹的塊。高蒸汽壓金屬優(yōu)選地應(yīng)該是鋁或它的合金,而低蒸汽壓塊狀金屬優(yōu)選是至少任何一種選自鈹、錫、金、鐵、鈷、鎳、鈦、鉑、銠、鈮、鉭、錸和鎢的元素。
這種復(fù)合蒸發(fā)淀積材料可以有裝入核心區(qū)域的優(yōu)選是鈮、鉭、錸或鎢的更低蒸汽壓金屬箔或?qū)印?/p>
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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