[發明專利]等離子體源無效
| 申請號： | 00104533.4 | 申請日： | 2000-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN1269692A | 公開（公告）日： | 2000-10-11 |
| 發明（設計）人： | 酒井滋樹;高橋正人 | 申請（專利權）人： | 日新電機株式會社 |
| 主分類號： | H05H1/24 | 分類號： | H05H1/24;H05H3/02;H01J27/18;H01J37/08;C23C14/48 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 葉愷東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體源，在導入微波的等離子體室容器內利用電子的回旋共振生成等離子體，從設置在等離子體室容器的前面部分的等離子體發射孔中發射該等離子體，其特征在于，配有磁場發生裝置，該磁場發生裝置在所述等離子體室容器內，在與所述等離子體發射孔的等離子體發射方向交叉的方向上產生引起所述電子回旋共振的磁場。
2.如權利要求1所述的等離子體源，其特征在于，在與從等離子體發射孔的該等離子體發射方向大致垂直的方向上產生磁場。
3.如權利要求1所述的等離子體源，其特征在于，磁場發生裝置是電磁鐵。
4.如權利要求1所述的等離子體源，其特征在于，磁場發生裝置是永久磁鐵。
5.如權利要求1所述的等離子體源，其特征在于，用導電性材料形成等離子體室容器內壁蓋的至少一部分。
6.如權利要求1-5所述的等離子體源，其特征在于，用絕緣物覆蓋微波發射用的天線。
7.一種利用權利要求1-6所述的等離子體源進行離子中性化的離子注入裝置。
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