[發明專利]電子束光刻方法及其裝置無效
| 申請號: | 00103516.9 | 申請日: | 2000-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN1271176A | 公開(公告)日: | 2000-10-25 |
| 發明(設計)人: | 中島謙 | 申請(專利權)人: | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱進桂 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子束光刻 方法 及其 裝置 | ||
1.一種用于利用電子束曝光和光刻所需圖案的電子束光刻方法,其中包括如下步驟:
(a)在條紋連接邊界區域中形成多個精度估計圖案和一所需圖案,以形成一個電子束掩膜;
(b)用電子束掩膜光刻圖案;
(c)用精度估計圖案測量曝光條紋的連接誤差;
(d)用電子束曝光這些圖案;以及
(e)檢查已經被曝光的圖案的連接。
2.根據權利要求1所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成方框標記作為精度估計圖案。
3.根據權利要求1所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成成對的形方框標記和方形方框標記作為精度估計圖案。
4.根據權利要求1所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成游標卡尺圖案作為精度估計圖案。
5.根據權利要求l所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成SCALPEL掩膜,該掩膜具有預定圖案和精度估計圖案。
6.根據權利要求l所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(b)中,包括該精度估計圖案的區域與該電子束掩膜相重合。
7.根據權利要求1所述的電子束光刻方法,
其特征在于,步驟(d)是步驟(c)的反饋步驟。
8.根據權利要求2所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成一個SCALPEL掩膜,該掩膜具有預定圖案和精度估計圖案。
9.根據權利要求2所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(b)中,包括該精確估計圖案的區域與該電子束掩膜重疊。
10.根據權利要求2所述的電子束光刻方法,
其特征在于,步驟(d)是步驟(c)的反饋步驟。
11.根據權利要求3所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成一個SCALPEL掩膜,該掩膜具有預定圖案和精度估計圖案。
12.根據權利要求3所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(b)中,包括該精確估計圖案的區域與該電子束掩膜重疊。
13.根據權利要求3所述的電子束光刻方法,
其特征在于,步驟(d)是步驟(c)的反饋步驟。
14.根據權利要求4所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(a)中,形成一個SCALPEL掩膜,該掩膜具有預定圖案和精度估計圖案。
15.根據權利要求4所述的電子束光刻方法,
其特征在于,在步驟(b)中,包括該精確估計圖案的區域與該電子束掩膜重疊。
16.根據權利要求4所述的電子束光刻方法,
其特征在于,步驟(d)是步驟(c)的反饋步驟。
17.一種用于利用電子束光刻圖案的電子束光刻裝置,其中包括:
用于在條紋連接邊界區域中形成多個精度估計圖案和所需圖案,以形成一個電子束掩膜的掩膜形成裝置;
用于利用電子束掩膜光刻圖案的光刻裝置;
用于利用精度估計圖案測量曝光條紋的連接誤差的測量裝置;
用于從所述測量裝置接收反饋數據和用該電子束曝光圖案的主曝光裝置;以及
用于檢查已經被曝光的圖案的連接的檢測裝置。
18.根據權利要求17所述的電子束光刻裝置,
其特征在于使用方框標記作為精度估計圖案。
19.根據權利要求17所述的電子束光刻裝置,
其特征在于使用成對的形方框標記和方形方框標記作為精度估計圖案。
20.根據權利要求17所述的電子束光刻方法,
其特征在于使用游標卡尺圖案作為精度估計圖案。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





