[發明專利]覆晶件晶片的結合方法

無效

• 申請號: 00103473.1
• 申請日: 2000-03-13
• 公開（公告）號: CN1313631A
• 公開（公告）日: 2001-09-19
• 發明（設計）人: 謝文樂;莊永成;黃寧;陳慧萍;蔣華文;張衷銘;涂豐昌;黃富裕;張軒睿;胡嘉杰
• 申請（專利權）人: 華泰電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉領弟

1、一種覆晶件晶片的結合方法，它包括如下步驟：

第一步驟

在從晶圓廠生產制造完成的晶圓上預先設置金屬導體凸塊，并切割成適當大小形成晶片；

第二步驟

在基板上涂布封膠材料；

第三步驟

將晶片翻轉，使其上金屬導體凸塊面朝下；

第四步驟

以晶片上的金屬導體凸塊與基板接觸，進行加熱結合；

其特征在于所述的

第一步驟中還包括在基板上與晶片結合的預留位置上，形成與晶片上金屬導體凸塊相對應的金屬焊料凸塊；

第三步驟中使晶片上的金屬導體凸塊對正基板上形成的金屬焊料凸塊；

第四步驟中晶片上的金屬導體凸塊與基板上金屬焊料凸塊接觸，并施以壓合加熱，使晶片上金屬導體凸塊藉由基板上加熱融熔后再硬化焊固的金屬焊料凸塊牢固地焊接結合于基板上。

2、根據權利要求1所述的覆晶件晶片的結合方法，其特征在于所述的基板上的金屬焊料凸塊以印刷方式形成。

3、根據權利要求1所述的覆晶件晶片的結合方法，其特征在于所述的基板上的金屬焊料凸塊以電鍍方式形成。

4、根據權利要求2或3所述的覆晶件晶片的結合方法，其特征在于所述的基板上的金屬焊料凸塊具備較高溫融焊特性。