[發明專利]絕緣柵晶體管

無效

• 申請號: 00101998.8
• 申請日: 2000-02-04
• 公開（公告）號: CN1263360A
• 公開（公告）日: 2000-08-16
• 發明（設計）人: 內海智之;大關正一;須田晃一
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所;日立原町電子工業株式會社
• 主分類號: H01L29/70
• 分類號: H01L29/70;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1.一種絕緣柵晶體管，包括：

包括主表面平面的第一導電類型第一半導體區；

包括通過從上述的主表面平面延伸到上述的第一半導體區內形成的多個部分的第二導電類型第二半導體區；

上述的多個部分分別包括條狀形狀、在長度方向上對直并平行設置；

第三半導體區；

沿上述的第二半導體區的長度方向，從上述的主表面平面延伸到在上述的第二半導體區中相應的多個部分內形成的第一導電類型第四半導體區；

在橫貫上述的第一、第二和第四半導體區的上述的主表面平面上形成的第一絕緣層；

通過上述的第一絕緣層橫貫上述的第一、第二和第四半導體區形成由多晶硅半導體構成的控制電極；

與上述的第二和第四半導體區電連接的第一主電極；和

在上述的主表面上與上述的第三半導體區電連接的第二主電極；其中，

在上述的第一主表面平面上經由絕緣層設置金屬布線層，

通過上述的第一主電極形成與上述的第一主電極絕緣的多個區域，和

上述的金屬布線層通過上述的絕緣層經由與上述的主電極絕緣的上述的區域與上述的控制電極電連接。

2.如權利要求1所述的絕緣柵晶體管，其中：

上述的多個區域按長度方向配置在主電極的整個表面區域上。

3.如權利要求1所述的絕緣柵晶體管，其中：

上述的絕緣柵晶體管是橫向型絕緣柵雙極晶體管。

4.如權利要求1所述的絕緣柵晶體管，其中：上述的絕緣柵晶體管是縱向型絕緣柵雙極晶體管。

5.一種集成電路，包括：如權利要求1到4中的任一權利要求所述的絕緣柵晶體管。