[發明專利]發光二極管

無效

• 申請號: 00101674.1
• 申請日: 2000-01-28
• 公開（公告）號: CN1264181A
• 公開（公告）日: 2000-08-23
• 發明（設計）人: 平野敦雄;吉川幸雄;手島圣貴
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社;株式會社光波
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 柳沈知識產權律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種具有倒裝晶片式的半導體發光元件的發光二極管，包括：

一個矩形的倒裝晶片；和

一個在其上放置所述倒裝晶片的矩形子座，所述子座的一個較短的側邊，比所述倒裝晶片的對角線長；

所述倒裝晶片放置在所述子座上，使所述倒裝晶片的一個側邊，與所述子座的一個相應側邊相交。

2.一種具有倒裝晶片式半導體發光元件的發光二極管，包括：

一個基本上為方形的倒裝晶片；和

一個在其上放置所述倒裝晶片的基本上為方形的子座；

所述倒裝晶片按照下述位置和姿勢放置在所述子座上，該位置和姿勢是通過將所述倒裝晶片的中心點和中心軸線重疊在所述子座的中心點和中心軸線上，接著使所述倒裝晶片圍繞著其中心點回轉一個預先確定的角度而得到的。

3.如權利要求1或2所述的發光二極管，其中，該預先確定的角度大約為45°。

4.如權利要求1～3中任何一項所述的發光二極管，其中，所述子座由一塊半導體基片制成，并且，在所述半導體基片內，形成一個過電壓保護的二極管。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其中，所述用于過電壓保護的二極管位于所述子座的一個上部暴露區域的下面。

6.如權利要求1～5中任何一項所述的發光二極管，其中，所述子座由一塊半導體基片制成，在所述基片的上表面上，形成一層絕緣薄膜，并且，所述倒裝晶片的二個引線電極中的至少一個引線電極，作在所述絕緣薄膜上，該至少一個引線電極位于放置所述倒裝晶片之后，留下的一個上部暴露區域中。

7.如權利要求4或6所述的發光二極管，其中，所述半導體基片的一個底部表面，可以作為所述倒裝晶片的二個引線電極中的一個引線電極，并且，所述半導體基片直接與用于容納所述半導體基片和將電壓加在所述倒裝晶片上的一個引線框架連接。

8.如權利要求4或5所述的發光二極管，其中，所述半導體基片是絕緣的，而所述倒裝晶片的二個引線電極，作在所述子座上，位于放置所述倒裝晶片之后，留下的一個上部暴露區域中。

9.如權利要求1～3中任何一項所述的發光二極管，其中，所述子座是絕緣的，而所述倒裝晶片的二個引線電極，作在所述子座上，位于放置所述倒裝晶片之后，留下的一個上部暴露區域中。

10.如權利要求1～8中任何一項所述的發光二極管，其中，在所述子座的該上部暴露區域上，作有一個用于檢測所述子座位置或姿勢的標記。

11.如權利要求1～10中任何一項所述的發光二極管，其中，在所述子座上，形成一個用于反射從所述倒裝晶片發出的光的反光薄膜。

12.如權利要求1～5中任何一項所述的發光二極管，其中，在所述子座上，形成一個該倒裝晶片的引線電極，該引線電極還可作為反射從所述倒裝晶片發出的光的一個反光薄膜。

13.如權利要求8或9所述的發光二極管，其中，所述二個引線電極覆蓋在所述倒裝晶片下面的一個區域，并可作為反射從所述倒裝晶片發出的光的反光薄膜。

14.如權利要求8或9所述的發光二極管，其中，所述二個引線電極基本上覆蓋所述子座的整個上表面，并可作為反射從所述倒裝晶片發出的光的反光薄膜。

15.如權利要求7所述的發光二極管，其中，所述用于過電壓保護的二極管的形成區域不同于形成焊盤的區域。