[發明專利]使用雙鑲嵌工藝生產半導體器件的方法

無效

• 申請號: 00100816.1
• 申請日: 2000-02-14
• 公開（公告）號: CN1264172A
• 公開（公告）日: 2000-08-23
• 發明（設計）人: 池田真義
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 劉曉峰

1.生產半導體器件的方法包含：

生產空塞子(102，302)和互連絕緣膜(5，15)，其中內層絕緣膜(5，15)由與所述空塞子(102，302)不同的材料構成，從而至少覆蓋導電膜(1)上的所述空塞子(102，302)的側壁；

在所述內層絕緣膜(5，15)的頂部形成掩膜層(6)，其中該掩膜層在所述空塞子(102，302)上具有一個開孔(103)；以及

在所述絕緣膜(5，15)中形成互連槽(104)，從而通過使用所述掩膜層作為掩膜，蝕刻掉部分所述內層絕緣膜(5，15)，露出所述互連槽(104)底部上的所述空塞子(102，302)的頂面，其中所述空塞子(102，302)的所述頂面或者與所述互連槽(104)的所述底部位于同一層或者比其低。

2.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于在所述空塞子(102，302)的蝕刻速率大于所述內層絕緣膜(5，15)的蝕刻速率的條件下進行所述互連槽的形成過程。

3.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于在形成所述空塞子(102)和所述內層絕緣膜(5)的過程中形成用于覆蓋所述空塞子(102，302)的所述內層絕緣膜(5，15)；在覆蓋在所述空塞子(102，302)的所述頂面上的所述內層絕緣膜(5，15)的部分區域中形成所述互連槽(104)。

4.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于通過進行所述空塞子(102，302)和所述內層絕緣膜(5，15)的生產從而使它們的高度幾乎彼此相等。

5.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于通過下面的過程生產所述空塞子(102，302)：在所述導電膜(1)的頂部上沉積空塞子膜(3，13)，并選擇的蝕刻掉部分所述空塞子膜(3，13)。

6.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于還包含：通過去除所述空塞子(102，302)并在所述互連槽(104)和所述通孔(105)中填充導電材料而形成通孔(105)，從而整體的形成被掩埋的互連(107)和通孔插塞(106)。

7.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于至少蝕刻部分所述空塞子(3)，從而在形成所述互連槽(104)的過程中在所述互連槽(104)的所述底部下至少形成部分通孔。

8.根據權利要求1所述的生產半導體器件的方法，其特征在于所述空塞子(3，13)由無機材料構成。

9.根據權利要求8所述的生產半導體器件的方法，其特征在于所述無機材料至少由下面的其中一種材料構成：氮化硅膜(Si₃N₄)、SiON膜(Si_xO_yN_z)、氧化物膜(SiO₂)、SiOF膜(Si_xO_yF_z)、硅膜(Si)、無機氧化膜。

10.根據權利要求5所述的生產半導體器件的方法，其特征在于還包含在所述導電膜(1)上沉積阻擋膜(2)，其是在形成所述空塞子(3，302)和所述內層絕緣膜(5，15)之前進行的；其中所述阻擋膜(2)在阻止所述蝕刻進行的過程中起作用。

11.根據權利要求10所述的生產半導體器件的方法，其特征在于還包含去除所述空塞子(3，302)，從而露出部分所述阻擋膜(2)，并選擇的去除所述部分阻擋膜(2)，從而形成通孔(106)。

12.根據權利要求6所述的生產半導體器件的方法，其特征在于使用CFC氣體、鹵族氣體或它們的任意的最佳組合通過各向異性等離子體蝕刻過程去除所述空塞子(102，302)。

13.根據權利要求11所述的生產半導體器件的方法，其特征在于通過使用CFC氣體的低離子能量/等離子體蝕刻過程進行對所述阻擋膜(2)的所述部分的選擇去除過程。