1.一種AlGaInP四元LED芯片制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)制備LED的外延片結構，該外延片結構自下而上分別為砷化鎵襯底（9）、N型緩沖層（10）、N型AlGaInP層（4）、MQW層（13）以及P型層（5）；

b)利用腐蝕液或干法刻蝕工藝，將P型層（5）的上表面粗化處理；

c)在P型層（5）上生長一層SiO2，利用光刻工藝在SiO2層上均勻間隔刻蝕成N個長條形的電流阻擋層（7），N為大于等于2的正整數；

d)在P型層（5）上制備一層透明導電膜，該透明導電膜作為電流擴展層（6），所述透明導電膜采用ITO或Zno或SiO2或TCF材料制成；

e)利用硅膠材料在電流擴展層（6）及各個電流阻擋層（7）上鍵合制成臨時鍵合材料層（11），在臨時鍵合材料層（11）上制成材料為藍寶石或硅片或金屬材質的臨時鍵合襯底（12）；

f)利用腐蝕溶液腐蝕砷化鎵襯底（9）至N型緩沖層（10）；

g)利用腐蝕液或干法刻蝕工藝，對N型緩沖層（10）的下表面進行粗化處理；

h)在N型緩沖層（10）表面利用電子束或PECVD工藝生長一層SiO2，在生長的SiO2上涂覆光刻膠，利用光刻工藝對SiO2上表面進行平坦化操作，平坦化后的SiO2表面粗糙度不大于500埃，在N型緩沖層（10）下端面制成材料為Ni和/或Ge和/或Au的歐姆接觸層（14）；

i)利用電子束蒸發工藝在歐姆接觸層（14）下端面鍵合制成鍵合層（3），利用電子束蒸發工藝在鍵合層（3）下方制成永久襯底層（2）；

j)利用硅膠溶解劑去除臨時鍵合材料層（11），使臨時鍵合襯底（12）從電流擴展層（6）上剝離；

k)在電流阻擋層（7）上制作P電極（8），在每兩個電流阻擋層（7）之間的中央處沿豎直方向切割形成切割道，所述切割道深度直至永久襯底層（2）的上表面；

l)將永久襯底層（2）研磨減薄至所需厚度，在減薄后的永久襯底層（2）下端面制作材料為Ni或Ge或Au的N面金屬層（1）；

m)利用激光切割或砂輪刀沿切割道切割形成N個獨立的LED芯片。