[發明專利]TEM樣品再制備的方法有效
| 申請號： | 201310597931.X | 申請日： | 2013-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN103645083A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 史燕萍 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/32 | 分類號： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述方法包括：
將一表面設置有若干TEM樣品的第一金屬網底部騰空架置于一樣品座上；
于所述TEM樣品中找到需要進行再制樣的特殊樣品；
將所述特殊樣品轉移至一第二金屬網上；
對所述特殊樣品進行減薄，形成精加工樣品；
對所述精加工樣品進行TEM觀測。
2.如權利要求1所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述第一金屬網的平面圖形為圓形。
3.如權利要求2所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述樣品座的表面設置有兩個硅片，兩個所述硅片之間相隔一定的距離，且所述距離小于所述第一金屬網的直徑。
4.如權利要求3所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述第一金屬網的兩個相對的側面邊緣分別與兩個所述硅片相對的側邊接觸并實現粘結。
5.如權利要求4所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，通過導電膠實現所述粘結。
6.如權利要求3～4中任意一項所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述第一金屬網的表面覆蓋有碳膜。
7.如權利要求1所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，采用納米探針將所述特殊樣品從所述第一金屬網上提取后，使所述特殊樣品旋轉至豎直，并將其粘附于所述第二金屬網上。
8.如權利要求1所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述第二金屬網為梳狀的具有若干個凸起塊的結構。
9.如權利要求1所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，所述第一金屬網的材質為銅；
所述第二金屬網的材質為銅。
10.如權利要求1所述的TEM樣品再制備的方法，其特征在于，采用聚焦離子束對所述特殊樣品進行減薄。
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