[發明專利]三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜及其制備和應用在審
| 申請號： | 202010175138.0 | 申請日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN111276608A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 吳衛華;朱小芹;眭永興 | 申請（專利權）人： | 江蘇理工學院 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 杭行 |
| 地址： | 213011 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三明治 結構 納米 復合 多層 相變 薄膜 及其 制備 應用 | ||
1.一種三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜，其特征在于，薄膜總厚度為40-60 nm，結構通式為SbSe(a)/Sb(b)/SbSe(a)，其中a和b分別表示SbSe薄膜和Sb薄膜的厚度，且17≤a≤24.5 nm，1≤b≤16 nm。
2.如權利要求1所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
1）清洗薄膜襯底基片；
2）安裝好濺射靶材SbSe和Sb，先后開啟機械泵和分子泵抽真空；
3）設定濺射氣體流量、腔內濺射氣壓、靶材的濺射功率；
4）采用室溫磁控濺射方法制備SbSe(a)/Sb(b)/SbSe(a)納米復合多層相變薄膜：
（a）將基片旋轉到SbSe靶位，開啟SbSe的濺射電源，按一定的濺射速度開始濺射SbSe薄膜，SbSe薄膜濺射完成后，關閉SbSe的交流濺射電源；
（b）將基片旋轉到Sb靶位，開啟Sb的濺射電源，按一定的濺射速度開始濺射Sb薄膜，Sb薄膜濺射完成后，關閉Sb的直流濺射電源；
（c）將基片旋轉到SbSe靶位，開啟SbSe的濺射電源，按一定的濺射速度開始濺射SbSe薄膜，SbSe薄膜濺射完成后，關閉SbSe的交流濺射電源。
3.如權利要求2所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中具體的清洗薄膜襯底基片的過程為：
（a）將基片置于乙醇溶液中，用超聲清洗10分鐘，去基片表面灰塵顆粒以及無機雜質；
（b）將基片置于丙酮溶液中，用超聲清洗10分鐘，去基片表面有機雜質；
（c）將基片置于去離子水中，用超聲清洗10分鐘，再次清洗表面；
（d）取出基片，用高純N2吹干表面和背面，放置在干燥箱內待用。
4.如權利要求2所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中所用薄膜襯底基片為SiO2/Si(100) 、石英或硅基片。
5.如權利要求2所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2）中抽真空后真空度低于2×10-4Pa。
6.如權利要求2所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3）中設置的交流電源濺射功率為15~50 W，直流電源濺射功率為15~50 W，濺射氣體流量為25~50 SCCM，濺射氣壓為0.2~0.4 Pa。
7.如權利要求2所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，制備三明治結構SbSe(a)/Sb(b)/SbSe(a)相變存儲薄膜時，通過調整中間層Sb的厚度，相變存儲薄膜的相變性能得到有效調控。
8.如權利要求1所述的三明治結構銻硒-銻-銻硒納米復合多層相變薄膜在高速PCRAM中的應用。
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