[其他]一種半導(dǎo)體器件互連的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 88103212 | 申請日： | 1988-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN88103212A | 公開（公告）日： | 1988-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡伯特斯·約翰內(nèi)斯·鄧布蘭肯 | 申請（專利權(quán)）人： | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號： | H01L21/31 | 分類號： | H01L21/31;H01L21/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種半導(dǎo)體器件互連的制造方法，其中第一布線導(dǎo)體(20)、絕緣層(21)和第二布線導(dǎo)體(22)依次被設(shè)置在由許多絕緣區(qū)(4、10)和許多半導(dǎo)體區(qū)(3)連接在一起的半導(dǎo)體(1)的表面上。在兩層布線(20，22)之間設(shè)置互連接點，這些接點位于半導(dǎo)體區(qū)(3)和鄰接的絕緣區(qū)(4、10)兩者之上。接點由第一布線(20)形成導(dǎo)電通柱(44)，設(shè)置絕緣層(50)后，使通柱(44)頂端露出，再設(shè)置第二布線(22)覆蓋在通柱(44)的頂端上而作成。因而大塊地節(jié)省了在半導(dǎo)體表面(2)上所占的面積。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 互連 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種半導(dǎo)體器件互連的制造方法，包括第一布線導(dǎo)體、絕緣層和第二布線導(dǎo)體依次被形成在由許多絕緣區(qū)和許多半導(dǎo)體區(qū)連接在一起的半導(dǎo)體表面上，兩層布線之間通過絕緣層的通孔，局部地設(shè)置了互連接點，所說的接點位于一半導(dǎo)體區(qū)和一與之鄰接的絕緣區(qū)兩者之上，其特征在于：由第一布線導(dǎo)體形成導(dǎo)電通柱，其上設(shè)置絕緣層之后，使通柱頂端露出，并在已露出頂端的通柱上設(shè)置第二布線導(dǎo)體而作成互連接點。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
