[其他]專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源無效

申請?zhí)枺?/td>	88100832	申請日：	1988-02-10
公開（公告）號：	CN88100832A	公開（公告）日：	1988-09-28
發(fā)明（設計）人：	王德苗;任高潮	申請（專利權）人：	浙江大學
主分類號：	C23C14/36	分類號：	C23C14/36
代理公司：	浙江大學專利代理事務所	代理人：	連壽金
地址：	浙江省杭***	國省代碼：	浙江;33
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	一種專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源，其磁場由條狀靜止的外磁組件和能作往復運動的內磁組件產生，能對靜止的大面積工件表面均勻地鍍復陽光控制膜、低輻射膜、鏡面膜及導電膜。適用于鍍復大面積的工件，如大型建筑玻璃、汽車護柵、露天字牌、大型平面鏡等。是一種靶材利用率高、耗能小、膜層均勻度高、投資少效益高的新型濺射源。
搜索關鍵詞：	專用沉積大面積薄膜平面磁控濺射
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【主權項】：

1、一種專用于沉積大面積薄膜的平面磁控濺射源，包括一個水冷器，一個磁場源，一個陰極靶，一個屏蔽罩，其特征在于磁場源由二個互相平行的外磁組件[Ⅰa][Ⅰb]和多個一字形排列、垂直于外磁組件[Ⅰa][Ⅰb]、并能在外磁組件[Ⅰa][Ⅰb]之間沿平行于外磁組件[Ⅰa][Ⅰb]方向作往復運動的內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]組成；濺射鍍膜時，陰極靶[11]靶面受隨內磁組件[Ⅱa][Ⅱb]作同步運動的等離環(huán)離子掃描刻蝕，在陰極靶[11]正上方靜止的大面積工件上沉積薄膜。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/88100832/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。