[其他]氧化物超導體無效
| 申請號： | 88100501 | 申請日： | 1988-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN88100501A | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 長谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深澤德海;會田敏之;高木一正 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01B12/00 | 分類號： | H01B12/00;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種高臨界溫度氧化物超導體，包括具有類鈣鈦礦晶體結構的K2NiF4晶體結構的氧化物，并由下式表示(BaXSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中0.1＜x+z＜0.3，W＝0，y≥0；或0≤x＜1，0≤z1，0＜w＜1，y≥0。一種至少具有CuO6八面體的CuO5五面體中之一的氧化物超導體，其中A3Cu3O7型氧化物超導體中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔劑法制備復合氧化物超導體的單晶。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 超導體 | ||
【主權項】：
1、一種氧化物超導體，特點為包括一種具有類似于鈣鈦礦晶體結構的K2NiF4晶體結構的氧化物，并由下式表示：其中0.1＜x+z＜0.3，w=0，及y≥0；或者0≤x＜1，0＜z＜1，0＜w＜1，及y≥0。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立制作所，未經株式會社日立制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/88100501/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：改進選定的鉻-鉬改良型合金鋼高溫特性和可焊性的方法
- 下一篇：電弧焊接方法
