[其他]MOS柵控橫向晶閘管無效
| 申請號： | 87209110 | 申請日： | 1987-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN87209110U | 公開（公告）日： | 1988-06-08 |
| 發明（設計）人： | 謝世健;張會珍;朱靜遠 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | H01L29/68 | 分類號： | H01L29/68 |
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 樓高潮,沈廉 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | MOS柵控橫向晶閘管是一種新型結構的晶閘管。組成晶閘管的PNPN層為橫向結構。采用MOS管和雙極型晶體管復合構成，MOS管的漏區和雙極型晶體管的基區為公用區。由于采用MOS管的柵控制晶閘管的導通，故可以用低壓數字電路直接控制；由于晶閘管的三個電極都從表面引出，故可以通過介質隔離實現與常規CMOS低壓邏輯控制電路集成化，有利于制造各種高壓功率集成電路，它可廣泛應用于馬達驅動和工業控制等場合。 | ||
| 搜索關鍵詞： | mos 橫向 晶閘管 | ||
【主權項】：
1、一種新型結構的晶閘管，由PNPN四層結構組成，其特征在于組成晶閘管的PNPN層為橫向結構，采用MOS管和雙極型晶體管復合構成，MOS管的源、漏區和雙極型晶體管的發射區及收集區組成橫向晶閘管的四層結構，其中MOS管的漏區與雙極型晶體管的基區為公用區。
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