[其他]一種高頻晶閘管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87208366 | 申請日： | 1987-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN87208366U | 公開（公告）日： | 1988-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王培清;張斌;陳永琪 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 清華大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 張志東 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實用新型屬快速電力電子器件，采用放大門極為工字形，短路點布置為正方形的光刻版，在一定的擴散結(jié)深及濃度配合下，技術(shù)指標達到了轉(zhuǎn)折電壓1600伏，平均通態(tài)電流200安，工作頻率10KHZ，并同時具有短的開通時間和關(guān)斷時間，高di/dt和dv/dt耐量。可適用于8KHZ以上中頻電源，超聲波電源、電機調(diào)速、不停電電源等電力電子裝置，特別適合于我國380伏電網(wǎng)電壓。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高頻 晶閘管 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種晶閘管，包括硅片、光刻版，其特征在于所說的光刻版上圖形的放大門極[1]為工字形，短路點[2]為正方形分布，所說的硅片的厚度為320～340mm，其p區(qū)表面雜質(zhì)濃度為2～8×1017cm-3，N2區(qū)表面雜質(zhì)濃度為5～8×1020cm-3，P1區(qū)結(jié)深為60～70mm，N2區(qū)結(jié)深為17～21mm。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué)，未經(jīng)清華大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/87208366/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：橋式自動毛細管粘度計
- 下一篇：掛車三回路制動控制系統(tǒng)
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
