[其他]源漏摻雜技術無效

申請號：	87107677	申請日：	1987-11-03
公開（公告）號：	CN87107677A	公開（公告）日：	1988-06-22
發明（設計）人：	吳彬中;馬克·A·霍勒;恩德·霍克萊克;桑德拉·S·李	申請（專利權）人：	英特爾公司
主分類號：	H01L21/82	分類號：	H01L21/82;H01L21/265;H01L21/31
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	肖掬昌,肖春京
地址：	美國加利***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	本發明敘述了一種形成金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法，其中的源和漏區的配置是通過基本上垂直于襯底表面的離子注入方式分兩個步驟實現的，使得雜質的濃度隨著遠離電極元件的橫向距離而增加，以便抑制熱電子注入，防止溝道效應，增加穿通電壓以及增加對柵有利的擊穿電壓。
搜索關鍵詞：	摻雜技術
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【主權項】：

1、一種制造金屬氧化物半導體(MOS)集成電路(有一個絕緣柵電極元件在一部分的半導體襯底上形成)的方法，該方法的特征包括下列步驟：(a)在所說襯底的上方，包括在所說柵元件的相對兩側和上表面的上方，形成一層絕緣層；(b)在所說絕緣層上方的所說柵元件的所說相對兩側上形成隔離件；(c)使確定雜質導電類型的第一離子沖擊在由步驟(b)所得到的結構表面上，其中所說第一離子的離子注入區在所說襯底中形成，所說隔離件阻止所說第一離子到達所說襯底；(d)除去所說隔離件；(e)使確定與所說第一離子有相同導電類型的雜質導電類型的第二離子沖擊在由步驟(d)所得到的結構表面上，在其中形成所說第二離子的離子注入區；(f)加熱所說襯底，以擴散至少一部分的在所說柵元件的所說相對兩側下方的所說離子，并激活所說離子；從而形成緩變的源區和漏區。

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