[其他]半導體器件無效
| 申請號： | 87107402 | 申請日： | 1987-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN87107402A | 公開（公告）日： | 1988-06-22 |
| 發明（設計）人： | 薄田修 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L23/54;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在把銅或銅合金焊接引線(16)壓焊到半導體元件(13)的電極壓焊區(21)上的半導體器件中，電極壓焊區(21)由與半導體元件形成歐姆接觸的第一金屬層(18)，其硬度足以在引線焊接時不產生變形的第二金屬層(19)以及用于焊接銅引線的第三金屬層(20)構成，結果抑制了焊接部位電學性能的變化，并在引線焊接時抑制在半導體元件中產生應力。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【主權項】：
1、一種半導體器件，包括一半導體元件，在元件上形成的電極壓焊區和焊接在電極壓焊區上并把電極壓焊區與外引線連接起來的銅引線，其特征在于：所述電極壓焊區基本由下述金屬層構成；在半導體元件上形成的、與半導體元件形成歐姆接觸并對半導體元件的功能不產生有害影響的第一金屬層；在第一金屬層上形成的、硬度足以承受引線壓焊工藝步驟中所加壓力的第二金屬層；在第二金屬層上形成的、具有適于焊接銅引線的組分的第三金屬層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝，未經株式會社東芝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/87107402/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：小異型空心砌塊在房屋結構抗震中的應用
- 下一篇：生產煤油和/或粗柴油的方法
- 同類專利
- 專利分類
