[其他]電子器件及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87106448 | 申請(qǐng)日： | 1987-09-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN87106448A | 公開（公告）日： | 1988-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 間瀨晃;小沼利光;坂間光范;犬島喬;山崎舜平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/86 | 分類號(hào)： | H01L29/86;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在透光的絕緣襯底上形成一層制有圖形的不透光的導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層部分，再用一個(gè)絕緣層圍住上述層部分。使絕緣層的厚度與導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層部分的厚度相同，但不要使絕緣層覆蓋住上述層部分。形成絕緣層的方法如下在有導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層部分的整個(gè)襯底上形成一層光敏有機(jī)樹脂。在此例中，使有機(jī)樹脂漫延到層部分上面。然后，從襯底那一側(cè)對(duì)有機(jī)樹脂層曝光，并進(jìn)行顯影和熱處理等工藝，最后形成上述絕緣層。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子器件 及其 制造 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種電子器件包括：一個(gè)具有絕緣表面的襯底；一個(gè)制有圖形的層部分在上述襯底上形成；其中，上述層部分的結(jié)構(gòu)是：(a)一個(gè)第一導(dǎo)電層，用做第一電極，(b)一個(gè)非單晶半導(dǎo)體層部分，(c)一個(gè)第二導(dǎo)電層，用做第二電極，并與上述各層依次重疊；上述電子器件的特征在于：上述層部分用一個(gè)絕緣層環(huán)繞，該絕緣層是在上述襯底上形成的，并與上述層部分的側(cè)面相接觸，但并不漫延到上述層部分的頂部表面上；上述絕緣層的厚度基本上與上述層部分的厚度相同。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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