[其他]致密表層陶瓷結構及其制造方法無效
| 申請號： | 87106040 | 申請日： | 1987-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN87106040A | 公開（公告）日： | 1988-04-27 |
| 發明（設計）人： | 斯坦利·J·盧茲克茲;哈利·R·茲威克爾 | 申請（專利權）人： | 蘭克西敦技術公司 |
| 主分類號： | C22C29/12 | 分類號： | C22C29/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 段承恩,徐汝巽 |
| 地址： | 美國特*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明涉及自支承陶瓷結構及其制造方法，該自支承陶瓷結構包括埋有填料的陶瓷復合結構。該陶瓷結構包括由熔融的母金屬體與氧化劑的氧化形成的多晶體材料。該多晶體材料具有一個始區基體，其上覆蓋有終區薄層，該終區薄層與始區構成整體。該終區薄層比起區基體更硬并具有更致密的、更細的晶體結構，而且是在多晶體的起區形成的反應階段之后的反應階段中形成的。在盡管留下或保留足夠可氧化的熔融母金屬去形成終區的多晶體材料的條件下，第一階段的生長通過削弱或中斷熔融母金屬向第一區的輸送來完成。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 致密 表層 陶瓷 結構 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種生產包括多晶體材料組成的自支承陶瓷結構的方法，其中多晶體材料由始區和與上述始區構成整體的終區組成，但它們在組成和微觀結構上兩者有所不同，該方法包括如下步驟：(a)將上述的母金屬加熱到高于其本身的熔點但低于氧化反應產物的熔點的溫度范圍，以形成熔融的母金屬體；和(b)在上述的溫度范圍內，(i)使上述熔融的母金屬與氧化劑反應形成上述的氧化反應產物，(ii)使最初至少上述的氧化反應產物的一部分保持與上述熔融的母金屬和上述氧化劑相接觸并處于二者之間，逐漸將熔融的母金屬從上述的坯體經過氧化反應產物向氧化劑輸送，以便氧化反應產物在氧化劑和先形成的氧化反應產物之間界面上繼續形成，由此形成一個逐漸加厚的氧化反應產物始區，在氧化反應產物中開始就含有互相連接的母金屬；(c)熔融的母金屬從上述的坯體上的上述輸送減少，并且(d)在步驟(c)之后，在上述的溫度范圍內繼續進行反應經過一定的時間，足以將上述互相連接的熔融母金屬從上述始區向上述始區表面輸送，在上述的表面上形成氧化反應產物作為上述終區。
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