[其他]直拉硅單晶的氣相摻氮方法無效
| 申請號： | 87105811 | 申請日： | 1987-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN87105811A | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發明（設計）人： | 闕端麟;李立本;陳修治 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B27/02 | 分類號： | C30B27/02;C30B31/06 |
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種直拉硅單晶的氣相摻氮方法，采用純度為99.99％的氮氣或者氬-氮混合氣作為保護氣氛實現氣相摻氮，控制爐內氣體壓力為5～60托，最佳壓力為15～25托，氣體流量為1～6m3/hr，最佳流量為2～5m3/hr，制造氮含量為1×1014～4.5×1015/cm3的硅單晶，成品率不低于70％。應用這種氣相摻氮方法，保護氣體的成本可降低40～50％，其硅片有良好的機械性能，在制作半導體器件工藝過程中，硅片的破碎率降低10～15％。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 直拉硅單晶 氣相摻氮 方法 | ||
【主權項】：
1、一種直拉硅單晶的氣相摻氮方法，其特征在于采用氮氣或者氬-氮混合氣作為保護氣體，爐內氣體壓力為5～60托，氣體流量為1～6m3/hr。
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