[其他]硅平面型功率晶體管管芯制造方法無效
| 申請號： | 87102729 | 申請日： | 1987-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN1004737B | 公開（公告）日： | 1989-07-05 |
| 發明（設計）人： | 劉振茂;張國威;張鵬儉 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 哈爾濱工業大學專利事務所 | 代理人： | 黃錦陽 |
| 地址： | 黑龍江省哈*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在對硅平面型功率晶體管管芯ｃｂ結低擊穿、管道擊穿、多段擊穿、大漏電，以及ｃｅ結穿通等產生原因的研究分析的基礎上，提出一種刻蝕溝槽和低溫鈍化相結合的刻槽硅平面型功率晶體管管芯制造技術。大幅度的提高功率晶體管管芯的合格率和高檔品率，并使整批管芯ｃｂ結擊穿電壓均一化，改善管芯電性能等。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 平面 功率 晶體管 管芯 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、硅平面型功率晶體管管芯制造方法，采用發射區磷擴散和一次氧化工藝制成管芯，其特征在于對制成的管芯采用光刻→腐蝕→鈍化工藝，方法如下：a、光刻：沿集電結在二氧化硅層上用光刻法開出窗口，窗口寬度應大于集電結在最大反偏壓下的勢壘寬度，即：D=W+2ΔS其中D為窗口寬度，W為外延層厚度，ΔS為光刻套刻精度。b、腐蝕：采用HNO3∶HF=100∶5的腐蝕液，腐蝕深度為發射結結深。c、表面鈍化：采用低溫淀積法或低溫熱氧化法生長SiO2層。
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