[其他]用于氣相淀積的方法和裝置無效
| 申請號： | 87102726 | 申請日： | 1987-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN87102726A | 公開（公告）日： | 1987-12-16 |
| 發明（設計）人： | 河合弘治;今永俊治;長谷伊知郎;金子邦雄;渡部尚三 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | C23C16/52 | 分類號： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 楊麗琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種氣相淀積的方法，包括以現場監測的方法測試半導體薄膜的生長。根據本發明，入射光束在幾乎垂直于生長膜表面的方向上，照射到生長膜的表面。膜的生長參數能夠由膜表面反射光變化測試出來。根據測出的生長參數，可以反饋控制氣相淀積室中的生長條件。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 用于 氣相淀積 方法 裝置 | ||
【主權項】：
1、一種控制氣相淀積生長薄膜的成分及其生長的方法，包括下列步驟：光束照射到上述薄膜表面上，該光束的入射角近似地與薄膜表面成直角，接收從薄膜上反射的光束，用來監測生長參數和產生生長參數指示信號，并且根據該生長參數指示信號反饋控制薄膜的生長條件。
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- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
