[其他]鍺基片單層硫化鋅高強度增透膜無效
| 申請號： | 87102489 | 申請日： | 1987-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN87102489A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發明（設計）人： | 余菊仙 | 申請（專利權）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 云南省專利事務所 | 代理人： | 李燦 |
| 地址： | 云南省昆明市*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | 鍺基片用單層硫化鋅(ZnS)高強度增透膜制備方法屬于紅外器件，紅外儀器和設備中紅外光學薄膜的制造方法。本發明的工藝方法是采用冷基片蒸鍍，然后在大氣中對膜層進行特定條件下進行熱處理，解決了膜層的光學性能和力學強度之間的矛盾。在保證了膜層具有優良的光學性能的前提下獲得了具有耐磨、耐腐蝕，抗潮、耐高低溫和溫度驟變的沖擊，是紅外器件，紅外儀器和設備中很重要的光學薄膜。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 鍺基片 單層 硫化鋅 強度 增透膜 | ||
【主權項】：
1、一種鍍在Ge基片上的單層ZnS增透膜的制造方法，其特征是：采用了冷基片蒸鍍和特定溫度下熱處理強化工藝。
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