[其他]硅器體化學鍍鎳與化學腐蝕工藝無效
| 申請號： | 87102147 | 申請日： | 1987-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN87102147A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發明（設計）人： | 何敬文;劉斌;劉雅言;王中紀 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春應用化學研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/308;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科院長春專利事務所 | 代理人： | 宋天平,曹桂珍 |
| 地址： | 吉林省長*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅器件化學鍍鎳與化學腐蝕工藝，本發明屬硅器件生產中在硅片表面實現無黑膠掩蔽選擇性化學鍍鎳與化學腐蝕技術。采用本發明的工藝，可一步實現太陽電池正面柵電池和背電池的制造，用在硅器件的選擇性鍍鎳與腐蝕工藝也可取代繁復而又有害的黑膠掩蔽工藝。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 硅器體 化學 腐蝕 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種硅器件化學鍍鎳與化學腐蝕工藝，本發明的特征是以光刻膠直接作為硅片表面掩蔽涂層，帶膠化學鍍鎳形成所需的接觸電極，采用涂敷光刻膠再復以膠帶紙的方法實現硅片掩蔽化學腐蝕，取代黑膠(BlackWax)掩蔽工藝。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
