[其他]互補橫向絕緣柵整流管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87101229 | 申請日: | 1987-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN87101229A | 公開(公告)日: | 1988-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 愛德華·亨利·斯圖普 | 申請(專利權(quán))人: | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號: | H01L29/78 | 分類號: | H01L29/78;H01L27/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種互補橫向絕緣柵整流管(LIGR)包括兩個互補LIGR結(jié)構(gòu)、它們分別制作在半導(dǎo)體基片中具有同類導(dǎo)電性的相鄰面接觸型各半導(dǎo)體井中。這兩個LIGR結(jié)構(gòu)具有一般相似結(jié)構(gòu)形式、因此簡化了制造工藝;所提出的設(shè)計使n溝道和p溝道能有相差不大的導(dǎo)通電阻。由隔開兩個半導(dǎo)體井的基片部分所隔離的這兩個LIGR結(jié)構(gòu)是由公共源極連在一起的。所得互補LIGR以緊湊的集成結(jié)構(gòu)為特色、其中組件的n溝道和p溝道部分的導(dǎo)通電阻是相差不大的。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互補 橫向 絕緣 整流管 | ||
【主權(quán)項】:
1、一種互補橫向絕緣柵整流管,其特征在于所述整流管包括:-一個具有第一類導(dǎo)電性并有一個主表面的半導(dǎo)體基片,-相鄰的面接觸型第一和第二半導(dǎo)體井,它們具有與所述基片中的第一類導(dǎo)電性相反的第二類導(dǎo)電性,并且由所述基片的一部分把它們彼此隔開,-在所述第一井中具有第一類導(dǎo)電性的面接觸型第一半導(dǎo)體區(qū)以及在所述第一半導(dǎo)體區(qū)中具有第二類導(dǎo)電性的薄層面接觸型第一源區(qū),-在所述第一井中具有第二類導(dǎo)電性的面接觸型第一漏區(qū)以及在所述第一漏區(qū)中具有第一類導(dǎo)電性的薄層面接觸型第二漏區(qū),-在所述第一井中具有第一導(dǎo)電性的面接觸型第一漏延伸區(qū),它從所述第一漏區(qū)向所述第一半導(dǎo)體區(qū)延伸,-一個在所述主平面上的絕緣層,它具有在所述第一井上方并至少復(fù)蓋所述第一源區(qū)和所述第一漏區(qū)之間所述第一半導(dǎo)體區(qū)的一部分的第一絕緣層部分,-在所述第一絕緣層部分上的第一柵極,它至少在所述第一半導(dǎo)體區(qū)的一部分的上方并且是與所述基片絕緣的,-在所述第二井中具有第一類導(dǎo)電性的面接觸型第二源區(qū),-在所述第二井中具有第一類導(dǎo)電性的面接觸型第三漏區(qū)以及在該第三漏區(qū)中具有第二類導(dǎo)電性的薄層面接觸型第四漏區(qū),-在所述第二井中具有第一類導(dǎo)電性的面接觸型第二漏延伸區(qū),它從所述第三漏區(qū)向所述第二源區(qū)延伸,-在所述主平面上的所述絕緣層的第二絕緣部分,它在所述第二井上方并且至少復(fù)蓋所述第二源區(qū)和所述第二漏延伸區(qū)之間所述第二井的一部分,-在所述第二絕緣層部分上的第二柵極,它至少在所述第二井的所述部分上方,并且是與所述基片絕緣的,-分別與所述第二和第四漏區(qū)連接的第一和第二漏極,以及-與所述第一半導(dǎo)體區(qū),所述第一源區(qū)和所述第二源區(qū)連接的源極。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





