[其他]半導(dǎo)體的光致核嬗變摻雜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87100971 | 申請日： | 1987-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100971A | 公開（公告）日： | 1987-09-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戴維·詹姆斯·索利·芬德利 | 申請（專利權(quán)）人： | 英國原子能管理局 |
| 主分類號： | C30B31/00 | 分類號： | C30B31/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種用于摻雜半導(dǎo)體材料的工藝及設(shè)備，借助于光致核反應(yīng)，將其中的半導(dǎo)體材料的原子嬗變?yōu)檫x擇摻雜物的原子。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 光致核 嬗變 摻雜 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種生產(chǎn)具有給定電導(dǎo)率特性的半導(dǎo)體材料的工藝，其特征包括用高能光子處理一批半導(dǎo)體材料，使其電導(dǎo)特性與某一規(guī)格相符的操作，從而經(jīng)半導(dǎo)體材料本體原子中的光致核反應(yīng)后，在半導(dǎo)體材料本體內(nèi)制造出能將所需導(dǎo)電率特性賦予半導(dǎo)體材料的元素原子，以及當(dāng)達(dá)到電導(dǎo)率的給定值時，就中止輻射。
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