[其他]半導體的光致核嬗變摻雜無效
| 申請號： | 87100971 | 申請日： | 1987-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100971A | 公開（公告）日： | 1987-09-09 |
| 發明（設計）人： | 戴維·詹姆斯·索利·芬德利 | 申請（專利權）人： | 英國原子能管理局 |
| 主分類號： | C30B31/00 | 分類號： | C30B31/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種用于摻雜半導體材料的工藝及設備，借助于光致核反應，將其中的半導體材料的原子嬗變為選擇摻雜物的原子。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 光致核 嬗變 摻雜 | ||
【主權項】：
1、一種生產具有給定電導率特性的半導體材料的工藝，其特征包括用高能光子處理一批半導體材料，使其電導特性與某一規格相符的操作，從而經半導體材料本體原子中的光致核反應后，在半導體材料本體內制造出能將所需導電率特性賦予半導體材料的元素原子，以及當達到電導率的給定值時，就中止輻射。
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