[其他]制造光電器件和其它半導體器件用的氫化非晶硅合金的沉積物原料和摻雜劑材料無效
| 申請號： | 87100729 | 申請日： | 1987-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN87100729A | 公開（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發明（設計）人： | 查理斯·羅伯特·迪克森 | 申請（專利權）人： | 索拉里克斯公司 |
| 主分類號： | C23C16/00 | 分類號： | C23C16/00;C23C14/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 全菁,吳大建 |
| 地址： | 美國馬里蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 分子式為(MX3)nM′X4—n的化合物，M和M′是不同的4A族原子，M和M′中至少有一個是硅烷，X是氫、鹵素或它們的混合物，它在形成用于制造光電器件和電子敏感器件的氫化非晶硅合金時作為沉積物原料。摻雜劑的分子式為(SiX3)mLX3—m，L是一個5A族原子，選自磷、砷、銻和鉍組，X是氫、鹵素或它們的混合物，它們用于制造負摻雜氫化非晶硅合金。摻雜劑的分子式為YJX2，Y是鹵素或羰基，J是一個3A族原子，X是氫、鹵素或它們的混合物；它們用于形成正摻雜氫化非晶硅合金。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制造 光電 器件 其它 半導體器件 氫化 非晶硅 合金 沉積物 原料 摻雜 材料 | ||
【主權項】：
1、使用具有下列分子式的一種或多種化合物的方法：(MX3)nM′4-n這里M和M′為不同的4A族原子，M和M′中至少有一個是硅，X是氫、囟素或它們的混合物，n是1和4之間的一個整數，包括1和4在內；這種化合物作為制造氫化非晶硅合金的沉積物原料。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
