[其他]三氯氫硅(SiHCl3)的制備無效
| 申請號： | 87100535 | 申請日： | 1987-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100535A | 公開（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發明（設計）人： | 張崇玖 | 申請（專利權）人： | 張崇玖 |
| 主分類號： | C01B33/08 | 分類號： | C01B33/08 |
| 代理公司： | 江蘇省南通市專利服務部 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 江蘇省南通市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | SiHCl3(三氯氫硅)是制備高純多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl氣體通入到加熱的硅粉中制備，用固定床反應時SiHCl3的產率只有60—70％。用沸騰床反應時可使SiHCl3的產率提高到80—90％，其余主要為SiCl4副產物。本發明是利用廢物SiCl4作為原料，與HCl一起通入到加熱的硅粉中，通過調節SiCl4通入量的大小，控制SiHCl3的收率，直至達到100％。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 三氯氫硅 sihcl3 制備 | ||
【主權項】：
1、三氯氫硅(SiHCl3)的合成方法，采用HCl氣體通入到加熱的硅粉中來制備，本發明的特征是：在通入HCl到加熱硅粉的同時，增加通入SiCl4，由調節SiCl4的通入量來控制SiHCl3的收率。
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