[其他]再燒結富硼多晶立方氮化硼及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87100500 | 申請日： | 1987-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN87100500A | 公開（公告）日： | 1987-08-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 托馬斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根 | 申請（專利權）人： | 通用電器公司 |
| 主分類號： | C01B21/064 | 分類號： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 羅才希 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種制造再燒結的多晶立方氮化硼壓塊的方法包括將燒結的富硼多晶立方氮化硼顆粒放在一高溫/高壓裝置中，使所述的富硼立方氮化硼顆粒經(jīng)受適合將所述顆粒進行再燒結的壓力和溫度的處理，以所采用的溫度低于立方氮化硼的再轉化溫度，所用的時間足以能對其中的多晶立方氮化硼顆粒進行再燒結。在高壓/高溫裝置中的富硼多晶立方氮化硼顆粒不含可干擾燒結過程的雜質(抑制立方氮化硼燒結的雜質)，也不含燒結助劑。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 多晶 立方 氮化 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、制造再燒結多晶立方氮化硼的方法包括：(a)將基本上無催化劑的燒結富硼多晶立方氮化硼顆粒放在一高壓/高溫裝置中，所述的顆粒基本上不含抑制燒結的雜質，(b)使所述的富硼立方氮化硼顆粒經(jīng)受適合將所述的顆粒進行再燒結的溫度和壓力的處理，溫度低于立方氮化硼再轉化的溫度，(c)將所述的壓力和溫度保持一段足以使富硼立方氮化硼在所述的裝置中進行再燒結的時間，(d)從所述的裝置中回收所述的再燒結的多晶立方氮化硼。
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