[其他]敏紫外硅光敏三極管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86204468 | 申請(qǐng)日： | 1986-07-02 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN86204468U | 公開(kāi)（公告）日： | 1987-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳偉秀 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 武漢大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/10 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武漢大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 龔茂銘 |
| 地址： | 湖北省武漢*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種敏紫外硅光敏三極管，它適用于檢測(cè)從紫外(190nm)到近紅外(1100nm)的入射輻射。它采用柵狀或網(wǎng)狀基區(qū)結(jié)構(gòu)，主要以集電區(qū)作為直接受光面，大大地提高了集電結(jié)對(duì)紫外光譜區(qū)光生載流子的收集效率，實(shí)現(xiàn)了從紫外到近紅外的光電探測(cè)。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紫外 光敏 三極管 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種具有發(fā)射極(10)、基極(11)和集電極(12)的敏紫外硅光敏三極管，其特征在于基區(qū)(3)是一種柵狀或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，用集電區(qū)(1)作為主要的直接受光面，集電結(jié)(4)的結(jié)深可以在2-4μm范圍內(nèi)選取。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
