[其他]薄膜晶體管無效

申請?zhí)枺?/td>	86108693	申請日：	1986-12-26
公開（公告）號：	CN86108693A	公開（公告）日：	1987-08-12
發(fā)明（設計）人：	石原俊一;大利博和;廣岡政昭;半那純一;清水勇	申請（專利權）人：	佳能株式會社
主分類號：	H01L21/205	分類號：	H01L21/205;H01L21/365
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	趙蓉民
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	提供一種基本半導體層，包含由非晶材料構成層改進的薄膜晶體管，其制備方法如下將含有能夠成為所述層組分原子的氣態(tài)物質(i)通過輸送管引入放有基底的成膜室，將對該氣態(tài)物質具有氧化性能的氣態(tài)鹵族物質。(ii)通過氧化劑輸送管引入該成膜室；使該氣態(tài)物質和該氣態(tài)鹵族氧化劑在成膜室內無等離子體的情況下發(fā)生化學反應，產生含受激先質的多種先質；至少利用這些先質中的一種作為供應源，在基底上形成所述的層。
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管
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【主權項】：

1、一種改進的薄膜晶體管，其基本半導體層包含由非晶材料構成的層，它是用下述方法制備的：(a)將含有能夠成為所述層組分原子的氣態(tài)物質(i)通過氣態(tài)物質輸送管引入放有薄膜晶體管基底的成膜室，通過氣態(tài)鹵族氧化劑輸送管將對該氣態(tài)物質具有氧化性能的氣態(tài)鹵族物質引入該成膜室，(b)使該氣態(tài)物質和該氣態(tài)鹵族氧化劑在該成膜室內沒有等離子體的情況下發(fā)生化學反應，產生含有受激先質的多種先質。(c)至少利用這些先質中的一種作為供應源，在該基底上形成所述的層。

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