[其他]光電動勢元件及其制備工藝和設備無效

申請號：	86108412	申請日：	1986-12-11
公開（公告）號：	CN86108412A	公開（公告）日：	1987-07-29
發明（設計）人：	廣岡政昭;石原俊一;半那純一;清水勇	申請（專利權）人：	佳能株式會社
主分類號：	H01L31/06	分類號：	H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	李勇
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	一種改進的具有符合要求的光電轉換層的光電動勢元件，該光電轉換層采用一種能夠用來形成沉積膜的物質和一種電子氧化劑在沒有等離子體的情況下制備。本發明還涉及了制備該元件的方法和裝置。
搜索關鍵詞：	電動勢元件及其制備工藝設備
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【主權項】：

1、一種改進的光電動勢元件，包括用于光電動勢元件的具有導電表面的基底、置于該基底的該導電表面上的光電轉換層以及置于該光電轉換層上的導電層，該光電轉換層是用下述方法形成的，即使(i)能夠作為上述要沉積的層的一個組分，但只要其保持在它原有的能態，就不能或幾乎不能有助于形成上述層的一種氣態物質，和(ii)一種具有用電子學方法使物質(i)氧化的性質的氣態物質分別通過各自的氣體傳送空間進入一個膜形成空間，在該膜形成空間中放置上述基底，同時保持在預定的溫度，使物質(i)和(ii)在沒有等離子體的情況下在該基底表面上部的空間相互進行化學接觸從而產生含有受激先質(precursors)的多種先質，并使這些先質的至少一種形成上述膜。

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