[其他]離子層對鋁陰極的保護技術無效
| 申請號： | 86107507 | 申請日： | 1986-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN86107507A | 公開（公告）日： | 1988-06-15 |
| 發明（設計）人： | 王喜山 | 申請（專利權）人： | 山東師范大學 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02;H01J1/30;H01S3/22 |
| 代理公司： | 山東省高等院校專利事務所 | 代理人： | 崔日新,婁安境 |
| 地址： | 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | 一種離子層對鋁陰極的保護技術屬于氣體放電電子器件生產工藝。該技術將鋯鋁汞片點焊在氧化的鋁陰極上，再將鋁陰極裝入電子器件中并抽真空，再用高頻電爐對鋁陰極和鋯鋁汞片除氣后，用高頻爐加熱線圈對鋯鋁汞片加熱激活并同時釋放汞蒸汽，形成汞離子保護層。該離子層可以保護鋁冷陰極，防止濺射現象發生，延長該類器件的工作壽命。該技術已用于內腔式玻璃結構的氦氖激光管生產中。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 離子 陰極 保護 技術 | ||
【主權項】：
1、一種離子層對鋁陰極的保護技術，利用放電氧化法，將鋁陰極在純氧中完善氧化，形成氧化層。本發明的特征在于，將鋯鋁汞片點焊在鋁陰極上，對鋁陰極和鋯鋁汞片除氣后，再加熱激活鋯鋁汞片，使其釋放汞蒸氣。
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