[其他]用于化合物半導體的薄膜層的生長方法無效
| 申請號： | 86106177 | 申請日： | 1986-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN86106177A | 公開（公告）日： | 1987-06-03 |
| 發明（設計）人： | 松居祜一 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種生產化合物半導體的方法，包括一個在化合物半導體的襯底或底層上除去雜質分子的步驟，它在生長外延層之前，將III族分子束或V族分子束投射到化合物半導體的襯底或底層上，以及一個在化合物半導體的襯底或底層上生長III族和V族原子的化合物半導體薄膜層的步驟。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 用于 化合物 半導體 薄膜 生長 方法 | ||
【主權項】：
1、一種生產化合物半導體的方法，其特征在于包括：一個在化合物半導體的襯底或底層上除去雜質分子的步驟，它在襯底或底層上生長外延層之前，將Ⅲ族分子束或Ⅴ族分子束投射到化合物半導體的襯底或底層上，以及一個在化合物半導體的襯底或底層上生長一層Ⅲ族和Ⅴ族原子的化合物半導體薄膜層的步驟。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
