[其他]等離子體處理裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86105186 | 申請日： | 1986-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN86105186A | 公開（公告）日： | 1987-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大坂谷隆義 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 等離子體處理裝置，它通過將加到置于反應(yīng)容器內(nèi)的待處理材料上的處理流體轉(zhuǎn)變成等離子體，來促進(jìn)處理反應(yīng)。其中提供了光源，以用諸如紫外線或激光束的射線束照射轉(zhuǎn)變成等離子體的處理流體，以產(chǎn)生光致反應(yīng)。處理流體由微波能量轉(zhuǎn)變成等離子體，并經(jīng)射線束照射而被激發(fā)，從而得到速度加快的處理反應(yīng)。另外，由于用射線束照射待處理材料表面，故可避免等離子體待處理表面時損壞，這樣，可無損地迅速處理材料。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 | ||
【主權(quán)項】：
1、等離子體處理裝置，它通過將加到置于反應(yīng)容器內(nèi)的待處理材料上的處理流體轉(zhuǎn)變成等離子體來促進(jìn)該處理，其改進(jìn)在于提供了向所述處理流體和所述待處理材料上照射射線束的光源，以產(chǎn)生光致反應(yīng)。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社日立制作所，未經(jīng)株式會社日立制作所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/86105186/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
