[其他]超大規(guī)模集成電路的局部互連方法及其結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86103067 | 申請(qǐng)日： | 1986-04-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN86103067A | 公開(kāi)（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅杰·A·納肯;湯姆士·C·哈羅偉;湯姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷·海特;里查德·A·查普曼;戴維·A·比爾;羅伯特·格羅夫III | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/70 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/70;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 馮曉明 |
| 地址： | 美國(guó)得克薩斯州752*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 在氮?dú)夥罩袑?duì)暴露的壕和柵極區(qū)作自對(duì)準(zhǔn)硅化時(shí)全面形成導(dǎo)電的氮化鈦層。對(duì)該層制作圖形以提供有數(shù)量級(jí)為每方10歐姆的薄膜電阻的局部互連并允許接觸與壕邊界有偏差。因局部互連層能從壕向向上疊加到場(chǎng)氧化物以對(duì)接觸孔提供底部接觸和擴(kuò)散阻擋層，該孔在以后被穿蝕過(guò)層間氧化物。局部互連可實(shí)現(xiàn)隱埋接觸所能實(shí)現(xiàn)的全部及其它功能。在提供快速緊湊的SRAM單元和含有亞微米的、不帶有隱埋構(gòu)造的P-溝道器件的CMOS方面有優(yōu)越性。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超大規(guī)模集成電路 局部 互連 方法 及其 結(jié)構(gòu) | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種用于制造集成電路的加工方法，本發(fā)明的特征在于，這種方法包括下列步驟：(a)提供一襯底；(b)在一預(yù)定的圖形中提供器件隔離區(qū)以便將一壕區(qū)限定在預(yù)定的部位中；(c)在上述壕區(qū)的預(yù)定部位制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；(d)在整個(gè)襯底沉積一種主要是由鈦組成的金屬：(e)在一容有氮?dú)獾沫h(huán)境中對(duì)上述襯底和上述鈦金屬加熱，以便使上述鈦金屬與上述鈦金屬與上述襯底暴露在外的硅部分起反應(yīng)從而形成硅化鈦，上述鈦金屬的其他部分也與上述氮?dú)猸h(huán)境起反應(yīng)，從而形成一種在其表面具有大部分的氮化鈦的層；以及(f)對(duì)上述氮化鈦層制作圖形以便在預(yù)定的圖形中提供局部互連。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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