[其他]可控硅串聯(lián)逆變器電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86102497 | 申請日： | 1986-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN86102497A | 公開（公告）日： | 1987-12-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李少平;李少彤 | 申請（專利權）人： | 李少平 |
| 主分類號： | H02M7/515 | 分類號： | H02M7/515;H02M7/53 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 河南省鄭州市中*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一種可控硅串聯(lián)逆變器電路，它包括由直流電源(1)、可控硅(2)、電容器(3)、電抗器(4)、次級帶負載(6)的輸出變壓器(5)和可控硅(7)組成的不對稱半橋式可控硅串聯(lián)逆變器電路以及附加的可控硅(8)。當負載(6)減小時，通過直接限制電容器(3)上過電壓的增長并將電抗器(4)中多余的能量返回直流電源(1)，從而有效地抑制了逆變器中的過電壓，提高了逆變器的負載適應性、最高工作頻率和效率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 可控硅 串聯(lián) 逆變器 電路 | ||
【主權項】：
1、一種抑制串聯(lián)逆變器電路中過電壓的方法，它以控制串聯(lián)迥路中電容器上的電壓為手段，其特征是：A、由串聯(lián)迥路中的電容器和附加的一個或數(shù)個可控開關組成輔助換流電路。B、利用該電容器上的電壓，由輔助換流電路強迫關斷正在導通的開關器件，同時，C、直接限制該電容器上電壓的增長并將串聯(lián)迥路里電抗器中多余的能量返回直流電源或作其它用途。
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