[其他]制造快速晶閘管的擴金新工藝無效
| 申請號： | 86102417 | 申請日： | 1986-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN86102417A | 公開（公告）日： | 1988-04-13 |
| 發明（設計）人： | 卞抗 | 申請（專利權）人： | 機械工業部西安整流器研究所 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 西安電力機械制造公司專利事務所 | 代理人： | 黃志堅 |
| 地址： | 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 該新工藝應用于制造快速晶閘管，其關鍵在于控制擴金前硅片陰極面和陽極面的雜質濃度，使得快速晶閘管的長基區陽極側金濃度低而陰極側金濃度高，從而得到關斷時間、通態壓降等參數協調很好的快速晶閘管。用該新工藝制造的2000V管子，在通態電流200A，通態峰值壓降2.5V時，關斷時間不大于30μs。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制造 快速 晶閘管 新工藝 | ||
【主權項】：
1、一種制造快速晶閘管的擴金新工藝，該工藝使得晶閘管的長基區陽極側金濃度低，陰極側金濃度高。其特征是：通過擴磷和腐蝕，在晶閘管的陰極形成磷層，在晶閘管的陽極擴硼，形成硼層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
