[其他]氧化錫薄膜氣敏元件無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86102281 | 申請(qǐng)日： | 1986-04-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN86102281A | 公開（公告）日： | 1987-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 松本毅;岡田治;中村裕司 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大阪瓦斯株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/12 | 分類號(hào)： | G01N27/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在氧化錫薄膜氣敏元件中，用CuK作為射線源進(jìn)行氣體檢測(cè)表面的單晶取向性和結(jié)晶性的X線衍射時(shí)，設(shè)其最強(qiáng)衍射線強(qiáng)度為I1，第二、第三、第四和第五強(qiáng)的衍射線強(qiáng)度分別為I2、I3、I4和I5，此時(shí)，這些衍射線強(qiáng)度的兩者或三者之間有一種特定的數(shù)值關(guān)系，而且最強(qiáng)衍射線強(qiáng)度的半值寬度大于某一特定值。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 薄膜 元件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、氧化錫薄膜氣敏元件的特征如下：在氧化錫薄膜氣敏元件中，用CuK作為射線源對(duì)氣體檢測(cè)表面的單晶取向性和結(jié)晶性作X線衍射時(shí)，設(shè)最強(qiáng)衍射線強(qiáng)度為I1，第二、第三、第四和第五強(qiáng)的衍射線強(qiáng)度分別為I2、I3、I4和I5，這時(shí)(a)(211)面或者(110)面的線強(qiáng)度最強(qiáng)，I2/I1≤0.6，I1的半值寬度大于0.58；或者(b)I1是(110)面或(101)面的線強(qiáng)度，I2為(101)面或(110)面的線強(qiáng)度。I2/I1≥0.5，I3/I2＜0.6，I1的半值寬度大于0.54；或者(c)I1是(110)面或者(211)面的線強(qiáng)度，I2是(101)面或(110)面的線強(qiáng)度，I2/I1≥0.5，I3/I2＜0.6，I1的半值寬度大于0.58；或者(d)I1、I2、和I3分別為(110)面、(101)面和(211)面的任何一面的線強(qiáng)度，I3/I1≥0.5，I4/I3＜0.6，I1的半值寬度大于0.61；或者(e)I1、I2、I3和I4分別為(110)面、(101)面、(211)面和(301)面中任一面的線強(qiáng)度，I4/I1≥0.5，I5/I4＜0.6，I1的半值寬度大于0.73；或者(f)I1為(301)面的線強(qiáng)度，I2/I1≤0.6，I1的半值寬度大于0.60；或者(g)I1為(211)面或(301)面的線強(qiáng)度，I2為(301)面或(211)面的線強(qiáng)度，I2/I1≥0.5，I3/I2＜0.6，I1的半值寬度大于0.3。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大阪瓦斯株式會(huì)社，未經(jīng)大阪瓦斯株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/86102281/，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
