[其他]單疇熱釋電雙摻硫酸甘氨酸晶體的水溶液生長無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86101972 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN1003658B | 公開（公告）日： | 1989-03-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 房昌水;王民;張克從 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 濟南三達專利事務所 | 代理人： | 孫君 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 水溶液生長雙摻單疇熱釋電晶體ＡＴＧＳＡｓ的水溶生長，屬于溶液降溫生長晶體的技術(shù)領(lǐng)域。將甘氨酸，硫酸，Ｌ－丙氨酸和砷酸按比例溶于一定體積的蒸餾水中，裝入生長瓶。在單疇性好的ＡＴＧＳＡｓ或ＡＴＧＳ上切取片狀晶種，用夾具固定，沿（０１０）面推移生長。周期４０天左右。本發(fā)明方法簡便，安全，效果良好，宜于推廣應用。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單疇熱釋電雙摻 硫酸 甘氨酸 晶體 水溶液 生長 | ||
【主權(quán)項】：
1、雙摻單疇熱釋電晶體ATGSAs的水溶液生長，以甘氨酸與硫酸為原料，摻雜少量L-丙氨酸，用水溶液降溫生長，本發(fā)明的特征在于，用砷酸部分取代硫酸，生成TGS系列雙摻晶體ATGSAs采用單面生長技術(shù)，進行ATGSAs大單晶的生長。
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