[其他]浸漬陰極無效
| 申請號： | 86101082 | 申請日： | 1986-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN86101082B | 公開（公告）日： | 1988-12-28 |
| 發明（設計）人： | 山本惠彥;田口貞憲;會田敏之;度部勇人;川瀨進 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01J1/14 | 分類號： | H01J1/14;H01J1/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 徐汝巽,劉夢梅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明涉及一種浸漬陰極，其特點是在浸漬陰極圓片表面至少有兩層薄膜下面是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等組成的高熔點金屬薄膜；上層是含Sc2O3的高熔點金屬層，并覆蓋于下層之上。浸漬陰極圓片是用電子發射材料浸漬難熔多孔質基體而制成。本發明也涉及有此陰極的電子管。此陰極表面有長時期穩定的低逸出功單原子層。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 浸漬 陰極 | ||
【主權項】：
1.一種浸漬陰極，它是在難熔多孔質基體內浸漬有電子發射材料而形成的，浸漬陰極表面上涂覆有兩層薄膜，其特征在于下層是高熔點金屬薄膜；上層是含Sc2O3的高熔點金屬薄膜，并復蓋于下層薄膜之上。
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