[其他]助熔劑法生長磷酸鈦氧鉀晶體的工藝無效
| 申請號： | 86100393 | 申請日： | 1986-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN86100393B | 公開（公告）日： | 1988-03-02 |
| 發明（設計）人： | 劉躍崗;徐斌;韓建儒;蔣民華 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/14 | 分類號： | C30B29/14;C30B9/06 |
| 代理公司： | 山東大學專利事務所 | 代理人： | 孫君 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | 助熔劑法生長KTP晶體的一種工藝，屬鹽熔液冷卻法生長晶體的技術領域。以KPO3和K4P2O7為助熔劑，將一定配比的原料放入鉑坩堝中，電爐絲加熱。TiO2+KPO3KTiOPO4■(KTP)原料全部熔化后降至飽和點，頂部下籽晶并旋轉之。不斷降溫生長，周期1～2月。本發明的工藝和裝置，操作簡便，效果良好，適用于工業生產。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 熔劑 生長 磷酸 鈦氧鉀 晶體 工藝 | ||
【主權項】：
1.一種助熔劑法生長磷酸鈦氧鉀晶體的工藝，用TiO2、KPO3、K4P2O7作原料，其中的KPO3、K4P2O7同時作助熔劑，以一種頂端有扣合蓋的特殊鉑坩堝作容器，坩堝蓋上開孔，籽晶縛于旋桿上從孔中穿過，放入生長爐加熱，一次完成磷酸鈦氧鉀的合成，籽晶由上沒入熔體中旋轉，降溫生長，投放原料比，TiO2∶KPO3∶K4P2O7在0.2∶1∶1～0.5∶3∶1之間。
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